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本實(shí)用新型涉及一種大功率整晶圓IGBT封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、過渡電極（2）和上蓋（3），所述上蓋（3）蓋置于陶瓷底座（1）上，所述過渡電極（2）置于陽極電極（1-4）上，在所述過渡電極（2）上設(shè)置有門極針定位孔（2-1）...該專利屬于江陰市賽英電子有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過江陰市賽英電子有限公司授權(quán)不得商用。