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本發明提供一種通過鹵化ITO以提高ITO透明導電薄膜表面功函數的方法，及該種ITO透明導電薄膜在OLED中的應用。所述方法是將過氧化物在紫外光照下產生羥基自由基，有機鹵代化合物受羥基自由基攻擊，鹵素原子相繼被羥基親核取代，鹵素自由基在ITO...該專利屬于清華大學;昆山維信諾顯示技術有限公司;北京維信諾科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過清華大學;昆山維信諾顯示技術有限公司;北京維信諾科技有限公司授權不得商用。