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本發明屬于半導體器件技術領域，具體為一種石墨烯金屬氧化物柵介質的集成方法。本發明首先利用金屬醇鹽水解機理，采用浸漬或旋覆工藝在石墨烯表面生成一層超薄金屬氫氧化物薄膜；以該超薄金屬氫氧化物薄膜作為成核層，采用常規原子層沉積工藝在所述石墨烯表面...
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