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一種溝槽型MOS晶體管制造方法包括：在硅片中形成溝槽；在溝槽中形成柵極結(jié)構(gòu)；沉積層間電介質(zhì)層，并通過(guò)刻蝕在層間電介質(zhì)層中形成兩種接觸孔的圖案，一種是對(duì)應(yīng)于與有源區(qū)接觸的接觸孔的圖案，另一種是作為器件外圍保護(hù)環(huán)的圖案；在兩種接觸孔中離子注入B...該專利屬于上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司授權(quán)不得商用。