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本發明一種大功率氮化物LED結構，在襯底的一面生長緩沖層、第一未摻雜GaN層、n型層、有源層、p型層、第二未摻雜GaN層、透明導電層并設置p電極和n電極，所述第二未摻雜GaN層生長在p型層與透明導電層之間，其厚度為20～100nm，具有粗糙...該專利屬于施科特光電材料(昆山)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過施科特光電材料(昆山)有限公司授權不得商用。
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本發明一種大功率氮化物LED結構，在襯底的一面生長緩沖層、第一未摻雜GaN層、n型層、有源層、p型層、第二未摻雜GaN層、透明導電層并設置p電極和n電極，所述第二未摻雜GaN層生長在p型層與透明導電層之間，其厚度為20～100nm，具有粗糙...