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本發明涉及集記憶電阻與隧穿磁電阻于一體的多功能自旋記憶電阻器件及制備方法。該多功能自旋記憶電阻器件采用Co/CoO-ZnO/Co磁性隧道結，在外加電壓下具有雙極阻變效應，在外加磁場下具有隧穿磁電阻效應；磁性隧道結上、下均濺射Ag電極，下電極...
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