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本發明涉及一種用于制造單晶半導體材料的方法，其中半導體材料提供為起始材料，將起始材料傳送到加熱區域，在加熱區域中將起始材料供送到半導體材料的熔體中，熔體從加熱區域下降和/或升高加熱區域，使得在熔體下端形成凝固前沿，沿該凝固前沿半導體材料結晶...
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