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本發明公開了一種二氧化鈦芯/殼納米電纜陣列的制備方法，首先在較低氧化電壓下，在鈦片上制備一層管徑較小的TiO2納米管陣列膜；然后增大陽極氧化電壓，在小管徑的二氧化鈦納米管陣列下獲得管徑較大的二氧化鈦納米管陣列；超聲振蕩；將帶有鈦片襯底的二氧...該專利屬于中國科學院合肥物質科學研究院所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院合肥物質科學研究院授權不得商用。
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本發明公開了一種二氧化鈦芯/殼納米電纜陣列的制備方法，首先在較低氧化電壓下，在鈦片上制備一層管徑較小的TiO2納米管陣列膜；然后增大陽極氧化電壓，在小管徑的二氧化鈦納米管陣列下獲得管徑較大的二氧化鈦納米管陣列；超聲振蕩；將帶有鈦片襯底的二氧...