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本發明提供一種金屬互連線的制造方法包括：提供半導體襯底，其上形成有虛設柵極；依次覆蓋應力層和第一層間介質層；暴露所述虛設柵極；去除所述虛設柵極，形成金屬柵極，所述金屬柵極上形成有金屬氧化層；在所述金屬柵極側壁和半導體襯底上依次形成應力層和第...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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本發明提供一種金屬互連線的制造方法包括：提供半導體襯底，其上形成有虛設柵極；依次覆蓋應力層和第一層間介質層；暴露所述虛設柵極；去除所述虛設柵極，形成金屬柵極，所述金屬柵極上形成有金屬氧化層；在所述金屬柵極側壁和半導體襯底上依次形成應力層和第...