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根據(jù)一個實(shí)施方式，提供了一種基于FINFET的一次可編程器件和相關(guān)方法。該一次可編程（OTP）器件包括與傳感FinFET平行的存儲FinFET。存儲FinFET和傳感FinFET共享公共源極區(qū)、公共漏極區(qū)和公共溝道區(qū)。存儲FinFET通過具...該專利屬于美國博通公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過美國博通公司授權(quán)不得商用。