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本發明涉及一種低頻率常數改性偏鈮酸鉛壓電陶瓷材料及其制備方法和應用，所述低頻率常數改性偏鈮酸鉛壓電陶瓷材料的化學組成為：xPb1-m-n(Lam·Sr)Nb2O6+y(y1PbTiO3+y2BiScO3)+pwt%CeO2+qwt%SiO2...該專利屬于中國科學院上海硅酸鹽研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院上海硅酸鹽研究所授權不得商用。
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