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本發明涉及一種采用低溫HF腐蝕液去除硅晶圓片邊緣氧化膜的方法，其步驟如下：1、配制低溫HF腐蝕液：先將HF與DIW按照質量配比為HF：DIW=1:0.9至1:2.5混合成HF腐蝕液，然后倒入滾輪式去邊機的酸槽內；再放入質量相當于DIW三倍的...該專利屬于天津中環領先材料技術有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過天津中環領先材料技術有限公司授權不得商用。
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本發明涉及一種采用低溫HF腐蝕液去除硅晶圓片邊緣氧化膜的方法，其步驟如下：1、配制低溫HF腐蝕液：先將HF與DIW按照質量配比為HF：DIW=1:0.9至1:2.5混合成HF腐蝕液，然后倒入滾輪式去邊機的酸槽內；再放入質量相當于DIW三倍的...