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本發(fā)明提供一種肖特基二極管及制作方法，本發(fā)明所述肖特基二極管及制作方法通過設(shè)置第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)均勻分布在所述勢(shì)壘區(qū)的內(nèi)部，所述第二摻雜區(qū)形成于所述第一摻雜區(qū)和所述外延層表面之間且每一所述第二摻雜區(qū)與所述第一摻雜區(qū)一一對(duì)...該專利屬于杭州士蘭集成電路有限公司;成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過杭州士蘭集成電路有限公司;成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司授權(quán)不得商用。