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本發明公開了一種厚氧化薄膜的制作方法，該厚氧化薄膜的厚度為4-7微米，該方法包括如下步驟：第一步，采用亞常壓化學氣相沉積法和等離子輔助化學氣相沉積法交替沉積氧化薄膜；第二步，退火處理。本發明通過用亞常壓化學氣相沉積法和等離子輔助化學氣相沉積...該專利屬于上海華虹NEC電子有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹NEC電子有限公司授權不得商用。
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