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本發(fā)明涉及一種介質隔離壓阻式壓力傳感器，包括SOI硅片以及鍵合的下蓋板（6），SOI硅片的頂層硅（5c）中設置的壓敏體電阻（1）周圍設有隔離介質（2a），頂層硅（5c）表面設有氧化隔離層（2），其表面設有鋁電極（4）與對應的壓敏體電阻（1）...該專利屬于華東光電集成器件研究所所有，僅供學習研究參考，未經過華東光電集成器件研究所授權不得商用。
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