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本發明涉及一種小模場抗彎曲單模光纖，包括芯層和包層，其特征在于所述芯層的相對折射率差Δ1為0.9％~1.1％，芯層半徑R1為2.4~3.0μm；圍繞在芯層外有內、外兩個包層；內包層相對折射率差Δ2為0％~-0.1％，內包層半徑R2為9~12...
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