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本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有包括偽柵區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)以及源漏區(qū)；去除所述偽柵區(qū)，以暴露半導(dǎo)體襯底，并刻蝕暴露的半導(dǎo)體襯底，在暴露的半導(dǎo)體襯底上形成鋸齒狀表面，以形成底部為鋸齒狀的開(kāi)口，所述...該專(zhuān)利屬于中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所授權(quán)不得商用。