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本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種多柵器件的形成方法，包括：提供基底；形成位于所述基底表面的具有第一開口的硅薄膜；所述第一開口內(nèi)填充滿半導(dǎo)體薄膜；形成覆蓋所述硅薄膜和半導(dǎo)體薄膜的具有第二開口的光刻膠層，所述第二開口位于第一開口的正上方，且第二開口的寬...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權(quán)不得商用。