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本發(fā)明公開(kāi)了一種SiC肖特基二極管及其制作方法，該SiC肖特基二極管包括：N+-SiC襯底；形成于該N+-SiC襯底之上的N--SiC外延層；形成于該N--SiC外延層之上的肖特基接觸；形成于該肖特基接觸邊緣處的P--SiC區(qū)域環(huán)，該P(yáng)--...該專利屬于中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司授權(quán)不得商用。