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本發(fā)明屬于納米技術領域，特別涉及一種具有減反射特性的亞波長硅納米線陣列的制備方法。本發(fā)明采用n型（100）硅片，利用高真空磁控濺射技術在其表面沉積具有網(wǎng)狀結構的銀膜，然后采用濕法刻蝕技術，在硅表面獲得具有減反射特性的亞波長錐形硅納米線陣列，...該專利屬于華北電力大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過華北電力大學授權不得商用。
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本發(fā)明屬于納米技術領域，特別涉及一種具有減反射特性的亞波長硅納米線陣列的制備方法。本發(fā)明采用n型（100）硅片，利用高真空磁控濺射技術在其表面沉積具有網(wǎng)狀結構的銀膜，然后采用濕法刻蝕技術，在硅表面獲得具有減反射特性的亞波長錐形硅納米線陣列，...