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本發明提出一種半導體微臺面列陣的測量裝置和方法，該方法基于寬譜熱光源照明干涉儀的光學測量裝置與方法，結合光學相干層析技術與衍射度量技術的特點，可無損、快速的測量微臺面列陣的表面形貌并準確提取微臺面列陣的周期、橫向尺寸與深度等幾何信息，滿足微...該專利屬于中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所授權不得商用。
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本發明提出一種半導體微臺面列陣的測量裝置和方法，該方法基于寬譜熱光源照明干涉儀的光學測量裝置與方法，結合光學相干層析技術與衍射度量技術的特點，可無損、快速的測量微臺面列陣的表面形貌并準確提取微臺面列陣的周期、橫向尺寸與深度等幾何信息，滿足微...