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本發明提供一種ZrNxOy納米線場發射陰極的制備方法，包括：Si襯底在丙酮和酒精中分別經超聲清洗15min，然后用去離子水沖洗；采用高純Ar作為濺射氣體，高純N2作為反應氣體；真空室本底壓強1.5×10-1Pa，濺射沉積過程的壓強為1.5P...
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