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本發明公開了一種基于無機半導體單晶網絡結構的光或氣體探測器，所述的探測器包括：敏感元件層、源電極和漏電極，其特征在于：所述敏感元件層由無機半導體單晶網絡結構組成。和傳統的探測器中采用的薄膜或多晶網絡結構的敏感元件相比，單晶網絡結構可以保證作...該專利屬于蘇州錦富新材料股份有限公司;中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所所有，僅供學習研究參考，未經過蘇州錦富新材料股份有限公司;中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所授權不得商用。