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本發明公開了一種溝槽功率器件結構及其制造方法，溝槽功率器件結構包括有源區和終端兩部分，有源區和終端都位于一個基片上，有源區包括體區、源區、接觸孔、有源區溝槽、第一隔離層、源極金屬層，終端包括終端溝槽、第二隔離層、阻擋層、柵極金屬層，接觸孔位...該專利屬于上海寶芯源功率半導體有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海寶芯源功率半導體有限公司授權不得商用。
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