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本發(fā)明提供一種在（111）型硅片上制作單晶硅納米長針尖的方法，包括：于硅片表面制作至少具有3個兩兩相鄰的刻蝕窗口的掩膜圖形；將各該刻蝕窗口下方的硅片用ICP干法刻蝕至一預(yù)設(shè)深度；各向異性濕法腐蝕，使兩兩相鄰的3個腐蝕槽的交界處形成由上錐部、...該專利屬于中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所授權(quán)不得商用。