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一種底柵結構的低壓ZnO透明薄膜晶體管的制備工藝,包括:清潔襯底步驟;制備柵極步驟;制備絕緣層步驟;ZnO:Al溝道層的沉積步驟;源、漏極的制備步驟。上述制備絕緣層步驟、ZnO:Al溝道層的沉積步驟以及源、漏極的制備步驟均在室溫下進行。...該專利屬于青島紅星化工集團自力實業公司所有,僅供學習研究參考,未經過青島紅星化工集團自力實業公司授權不得商用。
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