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本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，以及形成在該發(fā)光結(jié)構(gòu)上的反射結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，該反射結(jié)構(gòu)包括納米桿層和形成在納米桿層上的反射金屬層，該納米桿層包括...該專利屬于三星電子株式會(huì)社所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過三星電子株式會(huì)社授權(quán)不得商用。