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提供一種包括將熱管理設(shè)備（75）與半導(dǎo)體芯片設(shè)備（10）的第一半導(dǎo)體芯片（35）熱接觸放置的制造方法。所述半導(dǎo)體芯片設(shè)備包括耦接到所述第一半導(dǎo)體芯片的第一基板（60）。所述第一基板具有第一孔徑（70）。所述第一半導(dǎo)體芯片和所述熱管理設(shè)備中至...該專利屬于ATI科技無限責(zé)任公司;超威半導(dǎo)體公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過ATI科技無限責(zé)任公司;超威半導(dǎo)體公司授權(quán)不得商用。