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本發(fā)明提供一種襯底(1)，其具有本體層(3)和布置在所述本體層(3)上的具有小于2μm的厚度的緩沖層(4)，用于在所述緩沖層(4)的表面(5)上生長定向于同一方向上的大量納米線(2)。還提供一種納米線結(jié)構(gòu)、包括所述襯底(1)的納米線發(fā)光二極...該專利屬于GLO公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過GLO公司授權(quán)不得商用。