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本發明公開了一種半導體器件及其制造方法，旨在消除讀寫數據時相鄰的磁隧道結之間的磁場感應“互擾”(串音)現象。該半導體器件包括磁隧道結單元和圍繞磁隧道結單元側壁的磁場屏蔽材料層。制造半導體器件的方法包括形成磁隧道結單元，沉積隔離電介質層以覆蓋...該專利屬于中芯國際集成電路制造（北京）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（北京）有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種半導體器件及其制造方法，旨在消除讀寫數據時相鄰的磁隧道結之間的磁場感應“互擾”(串音)現象。該半導體器件包括磁隧道結單元和圍繞磁隧道結單元側壁的磁場屏蔽材料層。制造半導體器件的方法包括形成磁隧道結單元，沉積隔離電介質層以覆蓋...