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本發明涉及一種ONO反熔絲單元結構及其制備方法，屬于微電子的技術領域。按照本發明提供的技術方案，所述ONO反熔絲單元結構，包括下電極板，所述下電極板包括襯底，所述襯底的上部設有場氧及N+擴散區；所述N+擴散區的正上方設置貫通注入掩蔽層及腐蝕...
該專利屬于中國電子科技集團公司第五十八研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國電子科技集團公司第五十八研究所授權不得商用。

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