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本發明涉及半導體技術。本發明針對現有技術中設備投入高、測試時間長以及一次測試費用高的問題，提供低溫下測定單晶硅中替位碳含量的方法，首先，取已知替位碳含量標稱值的單晶硅作為替位碳單晶硅標樣，并獲取所需測定的單晶硅樣品，對單晶硅樣品進行拋光腐蝕...該專利屬于樂山樂電天威硅業科技有限責任公司所有，僅供學習研究參考，未經過樂山樂電天威硅業科技有限責任公司授權不得商用。
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本發明涉及半導體技術。本發明針對現有技術中設備投入高、測試時間長以及一次測試費用高的問題，提供低溫下測定單晶硅中替位碳含量的方法，首先，取已知替位碳含量標稱值的單晶硅作為替位碳單晶硅標樣，并獲取所需測定的單晶硅樣品，對單晶硅樣品進行拋光腐蝕...