在焊盤臺面及連接面上開孔的半導體芯片上電極制作方法屬于半導體芯片電極制作技術領域。已知技術存在的問題是，電子流會經連接面下面的上布拉格反射鏡向焊盤流動，造成損耗，還使器件發熱；另外，電極引線球焊頭與光滑的平面電極之間焊接的有可能會出現脫...

半導體激光泵浦折疊式單通道被動調Ｑ脈沖和頻激光器屬于激光技術領域。現有技術屬于主動調Ｑ，復合腔為直列式。本發明則提供一種技術方案，采用一個增益介質、兩個被動調Ｑ晶體，形成兩個諧振腔，共用一個折疊式光傳輸通道，最終實現了被動調Ｑ脈沖和頻激...

半導體激光泵浦單頻連續和頻激光器屬于激光技術領域。本發明目的是進一步拓展腔內插入偏振片選頻方式，把這種選頻方式的諧振腔作為本發明的兩個子諧振腔，使得兩個單縱漠分別在各自的諧振腔中運轉，通過諧振腔的設計，使得兩個單頻波長相遇，在兩個子諧振...

半導體激光泵浦雙通道被動調Ｑ脈沖和頻激光器屬于激光技術領域。現有技術存在的缺陷有，主動調Ｑ元件價格高，而且驅動源體積大，不利于產業化。僅具有單一光傳輸通道，單一泵浦源，單一增益介質，難以控制光增益，難以輕易調出所需和頻波長。在本發明的技...

半導體激光器溫度特性參數即升即測測試裝置及方法屬于激光器性能測試技術領域。已知技術之裝置存在的不足主要是結構復雜。而其測試方法存在的不足是，在測試半導體激光器的溫度特性時，需要對溫度實施控制。本發明之裝置僅由保溫箱、導熱媒質、加熱器、待...

大出光孔垂直腔面發射半導體激光器的多芯電注入結構屬于半導體激光器件技術領域。現有技術因載流子聚集效應以及趨膚效應，使得注入電流強度以及發光強度不均勻，器件性能和壽命受到影響。本發明之多芯電注入結構位于布拉格反射鏡中的高鋁層，在環形溝槽及...

三維勢阱激光器涉及一種激光器，屬于激光技術領域。現有的激光器輸出的激光束都是高斯激光束。在激光駕束制導過程中，由于高斯激光束光強分布為中心強、周邊弱，當導彈在飛行中發生方向偏離需要矯正時，它所接收到的制導激光信號恰好較弱，制導的精確性、...

反波導大光學腔半導體激光器屬于半導體光電子器件技術領域。該領域已知技術難以有效降低激光器波導的光學限制因子，增加有效波導寬度，從而提高輸出功率，同時使器件的閾值電流保持在較低水平。本發明之反波導大光學腔半導體激光器的波導層采用反向線性漸...

本發明一種用ＡｌＮ制作大功率鎵砷／鋁鎵砷激光器非吸收窗口的方法，屬于半導體光電子器件技術領域。本發明利用ＡｌＮ材料熱導率高，熱膨脹系數小，電阻率高，透過率高等的特點，用ＡｌＮ膜形成一種簡單有效的大功率鎵砷／鋁鎵砷激光器非吸收窗口，并用Ａ...

Ｎｉ↓［ｘ］Ｍｇ↓［１－ｘ］Ｏ短波長紫外光探測材料屬于半導體材料技術領域。現有Ｇａ↓［ｘ］Ａｌ↓［１－ｘ］Ｎ材料存在的不足有，首先，制作薄膜所使用的藍寶石襯底昂貴；其次，需要使用化學氣相沉積等大型、復雜設備生長，生長溫度也較高，造成了能...

本發明提供一種ＩｎＡｓ量子點材料的制備方法，和一種由該量子點材料制成的多能帶太陽能電池中間能級結構。該結構具有不同尺寸的多層量子點材料，其大致均勻地分布于三維空間。本發明采用ＭＯＣＶＤ外延技術生長各外延層，通過改變各外延層的生長參數，調...

一種電子轟擊型高靈敏度位敏探測器件，屬于光電探測技術領域中涉及的一種光電探測器件。本實用新型要解決的技術問題是：提供一種電子轟擊型高靈敏度位敏探測器件。解決的技術方案是：包括被探測目標、光學物鏡組、電子轟擊型高靈敏度位敏探測器件，在該器...

一種防止污染微通道板的防離子反饋膜的制備方法，屬于光電成像技術領域中涉及的一種防離子反饋膜的制備工藝。本發明要解決的技術問題：提供一種防止污染微通道板的防離子反饋膜的制備方法。解決的技術方案包括自持有機載膜的制備，在自持有機載膜上磁控濺...

半導體激光近、遠場分布觀測裝置屬于半導體激光器器件測試技術領域。現有技術是將激光近、遠場分布光斑轉換為電信號后進行測試，缺乏直觀性；另外，在遠場分布測試上缺乏確定的方案，在列陣芯片測試方面手段欠便捷，效率低。本發明采用光學透鏡系統和變像...

一種ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ晶體材料的非選擇腐蝕方法，屬于半導體器件制造技術領域。現有腐蝕方法采用的腐蝕液主要有Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］∶Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］∶Ｈ↓［２］Ｏ體積比分別為１∶８∶８或者３∶３∶１，以及Ｈ↓［３］ＰＯ↓［４］∶Ｈ...

一種ＩｎＧａＰ／ＡｌＧａＩｎＰ晶體材料的腐蝕液，屬于半導體器件制造技術領域。現有的ＨＣｌ系列腐蝕液腐蝕速率及腐蝕表面的粗糙度不能滿足制作半導體器件的要求，而Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］系列腐蝕液在腐蝕過程中損傷掩模光刻膠。本發明之腐蝕液的組分...

ｐｎ結Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜日盲區紫外探測器件屬于光電探測技術領域。現有技術采用Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜作為光電轉換器件，其光譜響應度有待提高；而雖然ｐｎ結Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜因ｐｎ結的雪崩作用而具有...

硅微通道內連續打拿極的制作方法涉及到的是一種在長徑比大于４０的硅單晶基體微孔深通道內制作連續打拿極的方法，最終制得微通道板，屬于光電成像技術領域。現有采用玻璃骨架制作的微通道板噪聲高、分辨率低。本發明采用硅單晶微通道陣列骨架作為微通道板...

雙線圈節能接觸器涉及一種控制用電設備電源斷路、閉合的直流或者交流接觸器，屬于電氣控制技術領域。現有的接觸器其吸合線圈兼作保持線圈，以與吸合電流同樣大小的電流保持接觸器的吸合狀態，而實際上吸合電流比保持電流大的多，尤其保持吸合是接觸器的常...

內置排線齒形帶屬于探測技術領域。現有的齒形帶、排線各自功能獨立，前者的作用就在于機械傳動，后者的作用就是傳輸電流。對于同時需要機械傳動、電流傳輸的場合，二者只能同時使用。本實用新型的方案是，在條狀齒形帶基體中若干根導線在同一層面上彼此相...