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    獨立行政法人產業技術綜合研究所專利技術

    獨立行政法人產業技術綜合研究所共有307項專利

    • 本發明實現兼具空穴選擇性和鈍化特性的空穴選擇性膜。半導體裝置的制造方法具備通過熱原子層沉積法在結晶硅層上形成氧化鈦膜的工序和對氧化鈦膜實施氫等離子體處理的工序。工序和對氧化鈦膜實施氫等離子體處理的工序。工序和對氧化鈦膜實施氫等離子體處理...
    • 提供一種碳納米管分散液,其用于制作能夠以低添加量的碳納米管發揮高導電性的碳納米管復合材料。本發明的碳納米管分散液具備:碳納米管組,具備平均直徑1nm以上且30nm以下的碳納米管不均勻地分散在基質中并在所述基質中三維地遍布的網眼結構;以及...
    • 提供一種碳納米管復合材料,能夠以低添加量的碳納米管發揮高導電性。本發明的碳納米管復合材料是將碳納米管分散到基質中而成的碳納米管復合材料,其特征在于,具備由多個碳納米管構成的碳納米管組和母材區域,碳納米管的混合量為0.0001%重量以上1...
    • 金屬材料的處理裝置
      本發明涉及金屬材料的處理裝置,其具有:內部收納樣品的密閉容器,從由該密閉容器排出的氣體抽出氧分子的氧泵,將該氣體返回該密閉容器中的循環裝置,以及處于該密閉容器內、將從該循環裝置返回的該氣體進行等離子體化,照射該樣品的等離子體化裝置。
    • 碳納米管復合材料以及導熱體
      本發明的目的在于提供一種均勻性優異、具有高導熱性的碳納米管復合材料。本發明的碳納米管復合材料的由多個所述碳納米管構成的碳納米管組存在于相鄰的所述碳纖維之間,所述碳纖維的平均直徑為1μm以上50μm以下,所述碳納米管的平均直徑為0.7nm...
    • 標記圖像處理系統
      通過比較圖像上的平面標識(2)的配置和預先設定的平面標識(2)的配置,從而由第一推定單元推定相對于標記的攝像機的位置和姿勢。在標記上配置一處立體標識(3),基于相對于平面標識(2)的配置、高度以及所推定的相對于標記的攝像機的位置,通過第...
    • 利用壓印法的聚酰亞胺的精細圖案形成方法
      提供與光刻法及激光加工等以往的聚酰亞胺加工技術相比,加工形狀及其尺寸精度優異、且簡便的聚酰亞胺的圖案形成方法。在聚酰亞胺的精細圖案形成中,作為聚酰亞胺,使用具有感光性的、能夠在玻璃轉變溫度以下成形的溶劑可溶性的聚酰亞胺樹脂組合物,并利用...
    • 微波等離子體處理裝置
      本發明的課題在于提供一種微波激發等離子體處理裝置,其即便在中間氣壓及高氣壓下也能夠產生較高的均勻性與高密度、且低溫的寬幅的等離子體射流,該微波等離子體處理裝置的特征在于具備:介電質基板;錐形部,設置在所述介電質基板的一端部,且為該介電質...
    • 選別裝置及選別方法
      本發明能高精度且高效率地從被選別對象中選別磁化物和非磁化物。選別裝置(10)的特征在于,包括:高梯度磁力分離部(50),其由電磁鐵(50a)、磁性過濾器(50b)以及磁選通道(50c)構成;被選別流體導入通道(1b),其經由第一開閉閥(...
    • 半導體的制造方法及晶片襯底的清洗方法
      本發明的課題在于,提供一種半導體的制造方法,所述半導體的制造方法包括將存在于經圖案化的晶片襯底上的、至少上部的一部分形成有難以除去的固化改性層的光致抗蝕劑在溫和的條件下簡便且有效地除去的工序,以及包括所述工序的晶片襯底的清洗方法。作為其...
    • 取向單層碳納米管集合體及其制造方法
      本發明涉及取向單層碳納米管集合體、塊狀取向單層碳納米管集合體、粉體狀取向單層碳納米管集合體、及其制造方法。本發明提供一種取向單層碳納米管集合體,可以容易制造,比表面積大,一根一根的碳納米管(CNT)取向于規則的方向,且松密度低,因此具有...
    • 鈦酸鹽化合物、堿金屬鈦酸鹽化合物和制備其的方法、以及使用鈦酸鹽化合物和堿金屬鈦酸鹽化合物作為活性材料的蓄電裝置
      本發明提供了當用作蓄電裝置的電極活性材料時能夠進一步增加其容量的鈦酸鹽化合物。根據本發明的鈦酸鹽化合物中,基于粒子的數量的60%以上的粒子具有各向異性的形狀并且具有通過使用氮吸附的BET單點法測得的為10至30m2/g的比表面積,以及具...
    • 硫化鋰-鐵-碳復合體
      本發明的主要目的是提供在以作為鋰二次電池用正極活性物質有用的硫化鋰作為主要成分的化合物中,正極利用率高、且具有高容量、進而具有良好的循環特性的具有優異的充放電特性的新型材料。一種硫化鋰-鐵-碳復合體,其特征在于,其是包含鋰、鐵、硫及碳作...
    • 本發明提供一種能夠簡易且低成本地制造,能夠獲得較大的隧道電流,并具有優異動作特性的半導體元件及其制造方法、并提供一種具有所述半導體元件的半導體集成電路。本發明的半導體元件的特征在于,隧道結的整體或者一部分由含有等電子陷阱形成雜質的間接躍...
    • 提供一種能夠在由機器人裝置進行的液體的處理操作中簡便地進行液體的排出或抽吸的吸移管裝置。提供一種被機器人裝置把持的吸移管裝置,該吸移管裝置具有:驅動部,其進行液體的抽吸和/或排出;接收部,其接收來自所述機器人裝置的信號;以及控制部,其根...
    • 本發明提供一種采用隧道場效應晶體管的集成電路及其制造方法,減少形成將兩個隧道場效應晶體管電連接的電路所需要的面積及成本,并且還減少寄生電容、寄生電阻。作為解決方案,采用隧道場效應晶體管的集成電路的特征在于,在一個活性區域以同一極性形成有...
    • 本發明提供一種能夠用少量的清洗液高效地清洗晶片、高效地進行加熱濕式清洗處理的晶片清洗機及其方法。本發明的晶片清洗機具有:載物臺(34),其設置晶片(W);旋轉驅動部(34b),其使載物臺(34)周向旋轉;噴液嘴(35),其與設置在載物臺...
    • 拒水/拒油被膜及其制造方法
      本發明的一個實施方式中,拒水/拒油被膜形成在固體的表面,并且以由化學式所表示的基團為終端,并通過硅氧烷鍵形成有三維交聯結構。
    • 本發明涉及一種提供提高氧化鎢抗真菌及抗細菌性,即使在薄膜形狀下也具有優異的抗真菌、抗細菌性的材料,其抗真菌及抗細菌材料的特征在于包含添加了鉍的氧化鎢的光催化劑。
    • 子采樣裝置(100)包括:凸緣部件(110),其具有與試料容納容器(10)的容納空間(11)相連通的貫通孔(114),形成有與該貫通孔(114)相連通的至少1個第1管路(112),連接在試料容納容器(10)的后端面;連接部件(120),...
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