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    獨立行政法人產業技術綜合研究所專利技術

    獨立行政法人產業技術綜合研究所共有307項專利

    • 增益改變方法、可變增益光電轉換器件、可變增益光電轉換單元、可變增益光電轉換陣列、讀出方法以及電路
      動態范圍的擴張在被設計為具有大增益的傳統放大光電轉換器件中是困難的,這是由于電流超過利用用于高輸入光強度的設計規則獲得的晶體管的接近最小的電容。此外,在傳統光電轉換器件等中,用于在器件級處實時改變電信號輸出的技術對具有高對比度的觀察目標...
    • 本發明提供一種靜電量計量裝置以及靜電量計量方法,其適合于處于難以進行計量的狀況的制造現場,簡便并且高精度地計量電子部件、機械部件等的靜電量。本發明的靜電量計量裝置(1)具備:接收部(2),其接收由于向計量對象物(10)施加的振動而產生的...
    • 本發明的目的是在不使用復雜電路的情況下放大在恒定增益下以若干量級的因子變化的電流。為了解決該問題,利用了一種半導體器件,其包括:具有第一導電類型的第一半導體區;第二半導體區,具有相反導電類型并與所述第一半導體區相接觸;以及第三半導體區,...
    • 本發明的目的在于提供一種能夠兼具撓性和高的熱電轉換能力的熱電轉換材料、使用了該材料的熱電轉換元件、以及使用了該元件的利用電子設備、汽車等的排熱的裝置。本發明提供一種熱電轉換元件以及在設備的排熱部設置有該熱電轉換元件的裝置,該熱電轉換元件...
    • 本發明提供再現性良好地形成高純度的1個貴金屬納米粒子與1個氧化物納米粒子進行接合的復合納米粒子,并且可形成均勻的異型界面,進一步提供可以避免毒物殘留等的清潔生成法。其特征在于,含貴金屬(M)0.1~30原子%、其余由賤金屬(A)與不可避...
    • 本發明的問題在于,實現能夠避免相位調制部和干涉儀光電路部的光耦合損耗,并且能夠進行通過集成化的小型化的單片集成型的光閘開關。本發明的光閘開關具有:光波導晶片,將表示基于子帶間躍遷的相位調制效應的量子阱作為芯層;邁克爾遜干涉儀,形成于上述...
    • 提供新型可見光響應性光催化劑,其中在堿性條件下可見光響應性氧化鎢半導體的耐環境性已得到提高。在堿性條件下不穩定的可見光響應性氧化鎢半導體的耐環境性通過在其中添加選自銅、鉭、鈮、鑭、鉍、鈣、鉻、錳和鋅中的任一種或者組合地其兩種或更多種而得...
    • 通過利用波長解析測量方法實現最適合光學波導模式傳感器的光學系統,提供小尺寸、穩定和高度靈敏的檢測裝置。一種檢測裝置包括:檢測板,其中硅層和二氧化硅層以這個次序被布置在石英玻璃基板上;光學棱鏡,其可選地粘附到檢測板的石英玻璃基板的表面,其...
    • 本發明提供將鍍敷金屬鍍敷至高密度的CNT集合體的內部并具有高導電性的CNT鍍敷金屬復合材料及其制造方法。還提供將CNT鍍敷金屬復合材料進行圖案化的方法。本發明的CNT金屬復合材料具備在多個CNT上附著金屬而成的CNT集合體,使用Cu-K...
    • 本發明提供一種金屬材料,所述金屬材料包含由組成式Mn3-xM1xSiyAlzM2a(其中M1為選自Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni和Cu中的至少一種元素;M2為選自B、P、Ga、Ge、Sn和Bi中的至少一種元素,0≤x≤3.0,3.5≤...
    • 碳納米管集合體、三維形狀碳納米管集合體、使用其的碳納米管成型體、組合物和碳納米管分散液
      本發明涉及三維形狀碳納米管集合體,該三維形狀碳納米管集合體具備第一面、第二面和側面,第一面的碳納米管的赫爾曼取向因子大于-0.1且小于0.2,第二面的碳納米管的赫爾曼取向因子大于-0.1且小于0.2,側面的碳納米管的赫爾曼取向因子具有0...
    • 本發明提供一種在穩定的條件下組裝,具備耐久性優異的氫分離用的層疊體,并能實現優異的密封的層疊型氫分離裝置。其具備層疊體及容器,容器內置層疊體并充滿有緩沖氣體,層疊體是通過層疊氫分離層、混合氣體層及透過氣體層并一體化而得到的,氫分離層使氫...
    • 本發明提供一種靜電帶電測量方法和裝置,其同時滿足以下的三個條件,即(1)非破壞性地測量靜電帶電,(2)在金屬、絕緣物混雜時減少測量對象受環境的影響來測量靜電帶電,(3)非接近地測量靜電帶電。本發明的靜電帶電測量方法具備:施加步驟,對測量...
    • 本發明開發和提供一種不會僅依賴于癌患者與健康者中的蛋白質的表達量的多寡而能夠簡單且高靈敏度判定肺癌的患病的肺癌鑒定標志物。并且,本發明開發和提供一種能夠判別肺癌的組織學類型的糖鏈標志物。鑒定了血清糖蛋白質中的在肺癌培養細胞上清中糖鏈結構...
    • 本發明提供在利用升華再結晶法的單晶生長中,顯示出高且穩定的升華速度的碳化硅粉體及其制造方法。是平均粒徑在100℃以上700μm以下、且比表面積在0.05m2/g以上0.30m2/g以下的碳化硅單晶制造用碳化硅粉體。優選為粒子粒徑在5μm...
    • 本發明的課題在于提供在保持CNT的優異的電特性、導熱性、機械性質的同時、分散性高且穩定的CNT的分散液、CNT成型體、CNT組合物、CNT集合體和它們的制造方法。本發明的CNT分散液是含有CNT集合體的CNT的分散液,該CNT集合體分散...
    • 本發明的目的在于,提供具有高容量以及優異的初次充放電特性、而且循環使用特性和高速特性優異、此外安全性也很優異的、低環境負擔、低成本的蓄電設備用負極材料及使用它制成的蓄電設備用負極。本發明是含有包含氧化物材料的負極活性物質、和含水溶性高分...
    • 本發明的課題在于與器件制造的變種變量生產彈性對應。本發明是對0.5英寸的晶片進行單晶片處理方式的器件制造方法及裝置,其配置多個密閉型的單位處理裝置(1)而形成制造生產線,該單位處理裝置(1)可搬且優選具有規格化的外形,并對制造工藝中的一...
    • 更穩定地進行開關動作。存儲元件10具有:絕緣性基板;第一電極2及第二電極3,其設置于絕緣性基板;電極間間隙部4,其設置在第一電極與第二電極之間,具有產生第一、第二電極之間的電阻值的變化現象的納米級的間隙,該存儲元件10能夠從規定的低電阻...
    • 更穩定地進行開關動作。存儲元件10具有絕緣性基板1、設置于絕緣性基板的第一電極2及第二電極3、產生第一電極與第二電極之間的電阻值的變化現象的電極間間隙部4,通過從脈沖發生源向存儲元件10施加用于從規定的低電阻狀態向規定的高電阻狀態轉換的...
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