本申請實施例公開了一種半導體結構及其測試方法，涉及半導體技術領域，能夠減小半導體結構的尺寸，提高測試效率，實現半導體結構能夠適用于不同性能的測試。半導體結構包括半導體基底、堆疊結構、至少一個第一測試焊盤、至少一個第二測試焊盤、至少一個第...

本公開實施例公開了一種等離子體處理裝置及其處理晶片的方法，等離子體處理裝置包括：反應腔；載臺，位于反應腔的底部，用于承載晶片；聚焦環，位于反應腔內并圍繞載臺設置；可變電阻層，覆蓋聚焦環的下表面，可變電阻層的電阻是可調的。

本公開提供了一種半導體結構和形成方法，其中，半導體結構，包括：襯底、互連結構、多個第一接觸插塞和導電插塞；其中，導電插塞，貫穿襯底，并通過多個第一接觸插塞，連接至互連結構；其中，多個第一接觸插塞中的一部分呈同心環狀排布。這樣，能夠避免導...

本公開提供一種半導體結構的設計方法、設計設備及計算機可讀存儲介質，其中，半導體結構的設計方法包括：調整代表性體積元內的金屬線的布線方式，以獲取具有不同的金屬線布線方式的多個代表性體積元；對多個代表性體積元建立多個第一有限元仿真模型，并分...

本申請涉及集成電路領域，公開了一種晶圓測量裝置、方法和晶圓鍵合設備。晶圓測量裝置包括：氣壓式測量模塊和數據處理模塊。氣壓式測量模塊包括：測量氣路、參考氣路、參考平面和差分壓力計。測量氣路上設置有測量節流閥，測量氣路的末端設置有測量噴嘴。...

本申請實施例提供一種半導體封裝結構及其制造方法。其中，半導體封裝結構包括堆疊設置的多個半導體芯片；至少一個半導體芯片包括沿多個不同方向布置的多個應力檢測結構；應力檢測結構位于半導體芯片的互連結構中；多個半導體芯片包括穿過至少一個半導體芯...

本公開實施例提供一種鍵合裝置及鍵合方法，所述鍵合裝置包括鍵合組件，所述鍵合組件包括控制部和形變部；所述控制部圍繞所述形變部，所述控制部用于向所述形變部施加電壓以使所述形變部發生形變并帶動第一鍵合結構發生形變。

本公開實施例提供了一種半導體的制備方法及半導體結構，其中，所述方法包括：在襯底的第一表面上形成凹槽結構；依次形成第一阻擋層和第一鈍化層，第一阻擋層覆蓋凹槽結構的側壁和底部，第一鈍化層覆蓋第一阻擋層位于凹槽結構的底部的部分；將第一阻擋層與...

本公開實施例提供了一種半導體結構的制備方法及半導體結構，其中制備方法包括：提供襯底，在襯底的第一表面上依次形成掩埋式電源軌及器件結構。在襯底的第二表面上形成第一介質層，并至少對第一介質層執行刻蝕工藝以形成通孔結構和開口結構，開口結構位于...

本公開實施例提供了一種裸芯片及其制造方法、半導體結構以及測試系統。所述裸芯片包括：裸芯片主體和缺口結構，裸芯片主體具有相對設置的第一鍵合面和第一非鍵合面、以及位于所述第一鍵合面與所述第一非鍵合面之間的多個側壁，所述第一鍵合面所在平面與每...

公開了一種芯片的強度測試裝置，包括：基座以及位于基座上的夾具；夾具包括沿第一方向相對設置的第一夾塊和第二夾塊，第一夾塊與第二夾塊相對的一側嵌設有第一夾持部，第二夾塊與第一夾塊相對的一側嵌設有第二夾持部；第一夾持部和第二夾持部用于固定待測...

本申請實施例公開了一種異質集成結構及其制備方法、半導體器件。所述制備方法包括：形成第一芯片，第一芯片包括第一半導體基材及位于第一半導體基材上的第一功能層和第一互連層，第一互連層包括第一介質層和位于第一介質層中的多個第一導電柱。形成第一晶...

公開了一種半導體結構及其熱測試方法，半導體結構包括：堆疊結構，堆疊結構包括測試結構以及位于測試結構相對的兩側并與測試結構接觸的發熱層和感測層，發熱層內設置有第一導電層，感測層內設置有第二導電層，第一導電層包括第一輸入端和第一輸出端，第二...

本公開實施例提供了一種光刻機的清潔方法，光刻機包括載臺、設置于載臺上方的物鏡以及用于提供曝光光束的曝光光源，載臺上附著有污染物；清潔方法包括：提供控片，將控片置于載臺上；對控片執行曝光工藝，曝光光源通過物鏡向控片輻射曝光光束以加熱控片，...

本申請提供了一種缺陷檢測方法、缺陷檢測模型訓練方法設備、存儲介質及計算機程序產品；該缺陷檢測方法包括：對待檢測PCB圖像進行特征提取處理，得到待檢測PCB圖像的待檢測特征圖；基于待檢測特征圖進行背景建模處理，得到待檢測特征圖對應的背景掩...

公開了一種半導體結構及其制造方法，其中，半導體結構包括：襯底；位于襯底上的第一芯片組，第一芯片組包括至少一個第一芯片；位于第一芯片組上的第二芯片以及位于第二芯片上的第三芯片組，第三芯片組包括至少一個第三芯片；其中，第二芯片包括沿第一方向...

本公開實施例提供了一種晶邊處理設備及晶圓的處理方法，其中，晶邊處理設備包括：基臺，基臺包括用于放置待處理晶圓的第一表面；噴液裝置，噴液裝置位于待處理晶圓的上方，且噴液裝置用于向待處理晶圓的邊緣區域提供處理液；吸液裝置，吸液裝置至少包括吸...

本公開涉及納米材料技術領域，提供了一種二維氧化鐵納米片及其制備方法。其中，二維氧化鐵納米片的制備方法包括：首先，將云母片放置于管式爐的下游區域；然后，將氧化鐵粉末和六水合氯化鐵晶體混合均勻，放置于管式爐的加熱區域；最后，對管式爐進行加熱...

公開了一種半導體結構中孔結構尺寸的量測方法，其中，半導體結構包括襯底，孔結構從襯底的上表面延伸至內部；量測方法包括：執行模塑溶液注入工藝，使模塑溶液完全填充孔結構并覆蓋襯底的上表面；使模塑溶液固化以形成模塑結構，模塑結構包括位于孔結構內...

公開了一種半導體結構及其制造方法，該制造方法包括：提供襯底，在襯底上形成第一圖案化掩膜層，以第一圖案化掩膜層為掩膜刻蝕襯底，以形成第一溝槽，襯底未被刻蝕的區域構成凸起結構；在襯底上形成第二圖案化掩膜層，第二圖案化掩膜層至少覆蓋凸起結構的...