本申請涉及一種慣性傳感器中熱與殘余氣體耦合擾動的仿真分析方法，其中，所述方法包括：構建仿真分析的幾何模型；根據所述幾何模型，建立所述仿真分析的系統仿真模型；根據所述系統仿真模型，確定所述仿真分析的擾動加速度。本申請填補了理論分析無法解決...

本申請涉及一種基于強化學習的多模式離子電推進健康管理方法及裝置。方法包括：獲取離子電推進健康管理的基礎數據集；根據所述基礎數據集，確定所述離子電推進健康管理的關鍵失效模式；根據所述關鍵失效模式，構建所述離子電推進健康管理的退化模型；根據...

本申請涉及一種離子推力器防離子濺射鍍膜高壓絕緣供電轉接模塊，包括：第一螺母、第一彈墊、第一平墊、第一接線端子、第二平墊、上屏蔽罩、上陶瓷、下陶瓷、下屏蔽罩、接線螺柱、第二螺母、第二彈墊、第三平墊、第二接線端子、第四平墊。本申請通過所述接...

本申請涉及一種基于斷層成像的推力器羽流分布二維重建方法及裝置。其中，所述方法包括：基于平移與旋轉相結合的方式，采集多孔型電噴推力器的羽流數據；根據所述羽流數據，繪制所述多孔型電噴推力器的羽流數據正弦圖；根據所述羽流數據正弦圖和濾波反投影...

本申請涉及一種屏蔽泄壓的發射段泄壓計算方法、裝置、存儲介質及終端。其中，所述方法包括：通過螺釘將排氣檔板安裝在機箱上，組成屏蔽泄壓的迷宮式泄壓排氣通道；根據所述迷宮式泄壓排氣通道的機箱入口壓力、機箱出口壓力、流體密度和發射段泄壓計算方法...

本申請涉及一種基于四極質譜質量歧視效應校正的真空材料分放氣率測量裝置及方法，包括：雙道O型密封圈法蘭、分離規、復合真空計、高純N<subgt;2</subgt;、四極質譜計、樣品測試室、氣體質量流量計、分子流導元件、十四烷標...

本發明公開了一種空間低吸收低發射柔性熱控薄膜及其制備方法。本發明在柔性基材上依次鍍制金屬膜和硅氧烷膜，利用金屬膜的低吸收、低發射性能以及硅氧烷的發射率隨厚度增加而增大的特性，通過調節硅氧烷的厚度，調整柔性熱控薄膜的吸收發射比，解決了空間...

本申請涉及測試儀器技術領域，具體而言，涉及一種測量剛性轉子在稀薄氣體中轉速衰減率的方法，采用少量的數據通過一層層滾動的多通道采樣實現數據的多次利用，進而實現高精度的衰減率計算，能夠兼顧準確性和響應速度，解決了稀薄氣體中剛性轉子轉速衰減率...

本申請涉及一種空間帶電粒子探測方法、裝置、存儲介質及終端。所述方法包括：將被動屏蔽層、第一探測器、第二探測器和第三探測器依次排列；在帶電粒子進入被動屏蔽層時，被動屏蔽層將低于探測器能量下限的帶電粒子進行屏蔽；在帶電粒子通過第一探測器和第...

本申請涉及一種電推力器滾轉力矩測試方法、裝置、存儲介質和終端。其中，所述方法包括：采集推力器的激光；所述激光入射到推力器束流中，得到所述推力器的束流離子；根據所述束流離子和離子速度診斷操作，獲得所述推力器沿徑向的離子速度分布；根據所述束...

本發明提供一種空間多層潤滑膜及其制備方法，涉及表面工程領域。該空間多層潤滑膜包括在金屬基體表面形成的滲氮層，所述滲氮層的表面形成有微織構，所述微織構上依次設置有Cr結合層和復合固體潤滑膜，所述復合固體潤滑膜包括依次設置在所述Cr結合層表...

本發明公開了一種空間高性能原子氧防護柔性熱控薄膜及其制備方法。本發明在柔性基材的下表面鍍制鋁膜，利用其低的吸收率和發射率，實現薄膜的熱控性能；在柔性基材的上表面鍍制硅氧烷薄膜，硅氧烷薄膜具有良好原子氧防護性能，且具有良好的太陽光透過率和...

本發明提供一種多元難熔高熵合金氮化物薄膜及其制備方法，涉及表面工程領域。制備方法包括以下步驟：基體表面預處理；在預處理后的基體表面采用高功率脈沖磁控濺射法制備Ti過渡層；在Ti過渡層表面采用反應高功率脈沖磁控濺射法制備TiN中間層；在T...

本申請涉及一種基于四極質譜計的極小真空流量測量方法及裝置。其中，所述方法包括：獲取真空測量的四極質譜計掃描線位置；改變所述四極質譜計掃描線位置，得到所述真空測量的四極質譜計掃描線更新位置；根據所述四極質譜計掃描線更新位置，確定所述真空測...

本發明提供一種紫外增反玻璃型二次表面鏡，包括基底、前表面薄膜層以及后表面薄膜層。基底采用摻鈰玻璃或石英玻璃。后表面薄膜層由金屬反射層和保護層組成，金屬反射層的材料為高反射率的金屬Ag，保護層的材料為Ni?Cr合金，可防止Ag層氧化且提高...

本申請涉及航天探測技術領域，具體而言，涉及一種諧振式QCM傳感器探頭制作方法，包括步驟1：選取特定切型、切角范圍、電極材質、基頻的石英晶振；步驟2：對選取的石英晶振進行性能參數測試，選取性能參數最接近的兩個石英晶振，作為參考石英晶振和測...

本發明提供一種Ag熱控涂層表面的抗氧化涂層及其制備方法，屬于飛行器熱控材料領域。在剛性或柔性基底表面真空鍍制Ag熱控涂層，然后立刻在Ag熱控涂層表面原位沉積致密的AlN涂層。AlN為寬帶隙半導體材料，帶隙寬度為6.2eV，對大于200n...

本發明提供一種高速鋼刀具的玫瑰金色涂層，包括Ti層和Ti(C，N)層。該玫瑰金色涂層的顏色LAB值為：L61、a13和b17，厚度為1～1.5μm，表面粗糙度小于50nm，硬度為30～35GPa，附著力大于60N，具有優良的耐磨性能。本...

本申請涉及一種碳柵極組件離子透明度最大化的分析方法及裝置。其中，所述方法包括：構建碳柵極的束流引出仿真分析模型；根據束流離子密度測量結果和所述束流引出仿真分析模型，得到所述碳柵極的第一離子透明度；根據碳柵極設計結果和所述束流引出仿真分析...

本申請涉及一種用于智能離子電推進的功能可重構裝置，包括：柵極系統、氣動壓縮輔助系統、螺線管電磁鐵、放電室、電子源產生裝置，其中：所述放電室安裝于離子推力器內部；所述氣動壓縮輔助系統固定在所述離子推力器的外殼，且位于所述放電室出口位置；所...