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    天津理工大學專利技術

    天津理工大學共有4582項專利

    • 本發明涉及一種用于彈簧端面缺陷檢測的特征增強分類識別算法,屬于圖像處理、機器學習方法領域,具體步驟為:步驟1提取子圖;步驟2高斯濾波;步驟3閾值處理以及圖像腐蝕;步驟4提取圖像的全部輪廓;步驟5繪制全部輪廓以及各點到圖像中心的直線;步驟...
    • 本發明公開了一種層狀Nb<subgt;3</subgt;TeX<subgt;7</subgt;(X=Cl、Br、I)單晶材料及其制備方法,將鈮(Nb)粉,碲(Te)粉和五氯化鈮(NbCl<subgt;5&l...
    • 本發明提出了一種基于小波變換和輕量大核卷積的立體匹配系統,包括數據采集單元、基于小波變換和輕量大核卷積的立體匹配單元;通過采集待測場景圖像、小波處理、提取上下文信息、輕量大核卷積提取特征、構建代價體和組合編碼體得到最終視差的方法,提高立...
    • 本發明公開了一種利用透射電鏡電子全息技術獲得光催化劑表面電荷分布的方法:制備透射電鏡所需光催化劑的樣品;將樣品使用原位加光樣品桿置于透射電鏡中,在有/無激光外場下拍攝電子全息圖并進行重構,分別得到振幅圖和相位圖;對有/無激光外場下的相位...
    • 本發明涉及一種使用季銨鹽萃取劑選擇性萃取分離鍺的方法,包括:S1、利用硫酸及有機酸對鍺渣進行浸出處理,得到含鍺酸性浸出液;S2、將含鍺酸性浸出液定容作為萃取水相;S3、將季銨鹽、調節劑、助溶劑和稀釋劑按一定比例混合配置成萃取有機相;S4...
    • 本發明公開了一種PVT法生長高純4H?SiC單晶的方法,屬于半導體技術領域。在SiC晶體生長之前,對SiC襯底的Si面進行電化學刻蝕預處理,具體為:將SiC襯底的Si面裸露,C面遮掩;襯底遮掩面連接石墨電極用作陽極,陰極選用石墨電極或鉑...
    • 一種碳布上硫化亞銅的制備方法及在摩擦納米發電機領域的應用。制備方法包括:1)利用碳布作為生長襯底;2)通過等離子體改變碳布纖維的粗糙度,增強其親水性;3)通過電鍍的方式進行碳布表面銅顆粒的沉積附著;4)通過化學氣相沉積法進行碳布基底表面...
    • 本發明涉及一種模擬關節軟骨動態加載傳質的裝置及使用方法,裝置特點為:軟骨夾具上端部與單軸壓縮試驗機上壓頭固連,液體收集器下端與單軸壓縮試驗機下部支撐臺固連;軟骨夾具下部中心上下設有儲液孔和試樣安裝孔,試樣安裝孔一側設有緊定螺釘安裝孔;儲...
    • 本發明公開了一種PVT法生長P型4H?SiC單晶的方法,屬于半導體技術領域。在SiC單晶生長之前,對SiC襯底的Si面進行電化學刻蝕預處理,具體為:將SiC襯底的Si面裸露,C面遮掩;襯底遮掩面連接石墨電極用作陽極,陰極選用石墨電極或鉑...
    • 本發明公開了一種提高SiC單晶和外延生長質量的方法,屬于半導體技術領域。在SiC晶體生長之前,對SiC襯底材料進行電化學刻蝕預處理,具體為:將需預處理的SiC襯底生長面裸露,另一面遮掩;襯底遮掩面連接石墨電極用作陽極,陰極選用石墨電極或...
    • 本發明提供了基于文件大小和時間屬性的熱度判別及數據遷移方法,獲取各個文件的信息,包括時間戳、大小和類型,建立衰減函數,根據文件類型設置權重值,并計算出第一個熱度值,通過預設的衰減策略計算衰減因子,并與第一個熱度值結合,得到第二個熱度值,...
    • 本發明公開了一種基于腦電數據的輕量級卷積神經網絡識別孤獨癥方法及系統。包括以下步驟:S1、采集孤獨癥兒童和正常健康兒童的腦電數據,并利用Matlab平臺上的EEGLAB工具箱對腦電數據進行預處理操作;S2、采用多尺度時間卷積核提取腦電信...
    • 本發明公開了一種液相法一爐多組碳化硅單晶生長的裝置及其方法,通過在液相法生長爐內的主籽晶提拉桿上使用一個分籽晶桿固定片連接多個分籽晶桿從而粘接多片籽晶實現一爐多組晶體生長,相同的生長時間其生產效率提高數倍。此外,所述分籽晶桿固定片的使用...
    • 本發明涉及鋰離子電池技術領域,一種瓊脂輔助溶膠凝膠法制備的富鋰錳基正極材料。針對富鋰錳基正極材料本身循環穩定性差和倍率性能差的問題,本發明以瓊脂作為輔助劑,采用瓊脂輔助溶膠凝膠法制備了富鋰錳基正極材料。0.5C電流下經過100圈的充放電...
    • 本發明公開了一種基于硅橡膠表面的抗茵抗粘附涂層的制備方法。該涂層方法通過在硅橡膠(SR)表面沉積聚多巴胺(PDA)得到涂層SR?PDA,利用PDA涂層上的鄰苯二酚基團將銀離子原位還原為銀納米顆粒得到銀納米涂層SR?PDA?Ag,隨后繼續...
    • 本發明提供了一種無機氯化物?聚合物全固態復合電解質及其制備方法,所述的無機?聚合物復合電解質包括線性聚合物、金屬鋰鹽和氯化物活性填料;所述的氯化物活性填料具有高的氧化電位和高的離子電導率。本發明提供的復合聚合物電解質,有著優異的對鋰穩定...
    • 本發明涉及一種基于共價單鍵鍵合有機發光分子構建的雙發射MOFs比率熒光探針。為了克服負載型、混合金屬型和混合配體的MOFs比率熒光探針組成不確定、結構難以重復等缺點,通過共價單鍵將噻吩分子引入到Zn?MOF的框架中,開發了一種新型的單配...
    • 本發明公開了一種聯合給藥納米體系的制備以及在去勢耐藥前列腺癌治療中的應用,屬于藥物載體材料領域,具體涉及以生物可還原脂質體作為載體包載熱休克蛋白抑制劑坦螺旋霉素(17?AAG)和對雄激素受體蛋白有靶向降解的疏水標簽(SARD279),通...
    • 本發明公開了一種抗細菌黏附的結直腸癌微環境響應性納米藥物的制備方法,涉及納米材料自組裝技術領域,具體涉及以樹狀分子聚乙烯亞胺作為載體接枝抗腫瘤藥物奧沙利鉑和抗具核梭桿菌黏附結直腸癌細胞的N?乙酰半乳糖胺得到OGP,然后引入偶氮苯基團得到...
    • 本發明提供了一種云邊協同數據容錯方法,包括:構建并訓練兩個精度不同的故障預測模型,兩個故障預測模型分別位于物聯網終端和云端;采集硬盤SMART數據并為其添加時序特征和趨勢特征,將SMART數據輸入位于物聯網終端的故障預測模型中進行初步故...
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