本公開涉及一種光電二極管，其包括：第一部分，該第一部分由硅制成；以及第二部分，該第二部分由摻雜鍺制成，位于該第一部分上并且與該第一部分接觸，該第一部分包括形成p

本公開的各實施例涉及背面照射型集成圖像傳感器。集成傳感器包括由具有第一光學折射率的第一半導體材料制成的襯底。該襯底包括像素陣列，其中每個像素具有由折射對比區形成的光敏有源區，該折射對比區包括第一半導體材料的基質和嵌入該基質中的周期性結構...

本公開涉及傳感器和電子設備。傳感器包括由被摻雜有第一導電類型的襯底支撐的像素。每個像素包括襯底的由具有圖像感測組裝件和深度感測組裝件的垂直絕緣結構界定的部分。圖像感測組裝件包括襯底的第一區域和完全橫向包圍第一區域的第一垂直傳輸門，該第一...

本公開的實施例涉及光敏傳感器。光敏傳感器包括：至少一個像素電路，能夠以全局快門模式和卷簾式快門模式操作，至少一個像素電路包括：光敏區域，被配置為光生電荷；第一傳輸門，被配置為將光生電荷從光敏區域傳輸到傳輸節點；第一源極跟隨器晶體管，被配...

本公開的實施例涉及通孔制造方法。提出了一種用于制造絕緣導電通孔的方法。該通孔穿過層的第一堆疊到達第一層。形成部分延伸到層的第一堆疊中的第一腔體。在層的第一堆疊之上和第一腔體中形成層的第二堆疊。層的第二堆疊包括蝕刻停止層和絕緣層。然后形成...

本公開的實施例涉及相變濾波器和圖像傳感器。一種相變濾波器，包括：多個相變材料點；以及導電材料的加熱層；其中所述加熱層包括多個加熱區域，每個加熱區域包括一個或多個導電指狀物；以及其中所述多個相變材料點中的相變材料點被定位在所述加熱層的每個...

本公開的實施例涉及生成光掩模的裝置和方法。本說明書涉及一種方法，該方法包括由處理裝置通過將圖像變換成由兩點元素形成的第一表示來壓縮包括第一圖案的圖像。該方法還包括通過神經網絡對第一表示執行推理操作以生成由兩點元素形成的第二表示。該方法還...

本公開的實施例涉及垂直光電二極管。垂直光電二極管包括有源區。用于二極管端子的接觸焊盤遠離有源區橫向移位，以便不位于有源區的上方或下方。有源區由鍺區的本征的下部分和鍺區的用第一導電類型摻雜的上部分而形成在半導體材料層中。垂直光電二極管光學...

本公開的實施例涉及集成光學傳感器、成像系統以及電子設備。一種集成光學傳感器，其特征在于，包括釘扎光電二極管，集成光學傳感器包括：半導體襯底，包括：第一半導體區域，具有第一導電類型；第二半導體區域，具有與第一導電類型相對的第二導電類型；以...

本公開的實施例涉及存儲器單元和存儲器陣列。存儲器單元包括具有半導體區和絕緣區的襯底。第一絕緣層在襯底上延伸。相變材料層位于第一絕緣層上。存儲器單元還包括具有導電軌的互連網絡。延伸穿過所述第一絕緣層的第一導電通孔的第一端與所述相變材料層接...

本公開的實施例涉及可編程相變濾波器的平面單元納米加熱器設計和單元架構。相變濾波器由點的布置形成，其中每個點由相變材料制成。導電材料的加熱層在點的布置下延伸。通過加熱層的電流在兩個狀態之間改變點，以改變通過濾波器的光的衰減。過濾波器的光的...

本公開的實施例涉及電光相位調制器。一種電光相位調制器包括由條帶的堆疊制成的波導。堆疊包括由第一導電類型的摻雜半導體材料制成的第一條帶、由導電材料或第二導電類型的摻雜半導體材料制成的第二條帶、以及由第一導電類型的摻雜半導體材料制成的第三條...

傳感器包括由被摻雜有第一導電類型的襯底支撐的像素。每個像素包括襯底的由具有圖像感測組裝件和深度感測組裝件的垂直絕緣結構界定的部分。圖像感測組裝件包括襯底的第一區域和完全橫向包圍第一區域的第一垂直傳輸門，該第一區域被更重地摻雜有第一導電類...

本公開涉及光學漫射器。本說明書涉及一種光學漫射器，包括第一層和第二層，第一層具有形成于其中的導電軌道，第二層具有置于其上的第一層，并且具有至少兩個導電柱，導電柱形成于第二層中并且跨第二層的整個厚度延伸。第二層包括至少一個第一區域，該第一...

本公開的實施例涉及具有控制電路的圖像傳感器。一種圖像傳感器包括在基底內部和頂部上的像素陣列。控制電路被配置為向基底施加電壓電位。在第一階段期間，控制電路向基底施加接地電位。在第二階段期間，控制電路向基底施加相對于接地電位為正的電位。加相...

本公開的實施例涉及光敏傳感器和對應的光學信號獲取方法。光敏傳感器能夠以全局快門模式和卷簾式快門模式操作。該傳感器包括至少一個像素電路，該像素電路具有配置為光生電荷的光敏區域。第一傳輸門配置為將光生電荷從光敏區域傳輸到傳輸節點。源極跟隨器...

本公開涉及半導體器件。半導體器件包括：半導體襯底；半導體襯底上的MOS晶體管；與MOS晶體管相對應的射頻開關，射頻開關包括：半導體襯底中的摻雜半導體區；半導體襯底上的至少兩個金屬化層級，每個金屬化層級包括：絕緣層的堆疊；延伸穿過絕緣層的...

本發明涉及集成電路互連結構。一種制造集成電路的互連結構的方法，集成電路的互連結構旨在被封裝在與保護層的第一表面接觸的封裝樹脂中。保護層位于互連結構的第一表面上。互連結構包括銅互連元件，銅互連元件至少部分地延伸穿過絕緣層并與互連結構的第一...

本公開涉及集成電路。集成電路，包括：半導體層；半導體層上的互連結構，互連結構包括絕緣層和互連元件，互連元件至少部分地延伸穿過絕緣層并與互連結構的第一表面齊平；在互連結構的第一表面上的保護層，保護層的第一表面是脊和槽的交替。本公開的方案能...

本公開的實施例涉及光學傳感器。光學傳感器包括像素，每個像素由光電檢測器和在光電檢測器頂部的遠心系統形成。每個遠心系統包括：具有面向光電檢測器的開口的不透明層和面向每個開口并布置在不透明層和光電檢測器之間的微透鏡。每個像素還包括微透鏡和光...