本公開的實施例涉及一種集成電路。集成電路在半導體襯底中形成。單光子雪崩二極管的陣列在半導體襯底的前側形成。該陣列包括第一二極管和第二二極管，第一二極管和第二二極管彼此相鄰。布拉格反射鏡被定位在第一二極管與第二二極管之間。布拉格反射鏡被配...

本公開的實施例涉及包括雪崩二極管陣列的集成電路及其制造方法。集成電路在半導體襯底中形成。單光子雪崩二極管的陣列在半導體襯底的前側形成。該陣列包括第一二極管和第二二極管，第一二極管和第二二極管彼此相鄰。布拉格反射鏡被定位在第一二極管與第二...

本公開的各實施例涉及SPAD的淬滅。本公開涉及一種包括光電二極管的裝置，該光電二極管具有第一端子和第二端子，該第一端子通過電阻器被耦合到第一軌，該第一軌被配置為接收高供電電位，該第二端子通過開關被耦合到第二軌，該第二軌被配置為接收基準電...

本申請的各實施例涉及一種電容性電光調制器。該電容性電光調制器包括硅層、覆蓋硅層的鍺條帶或硅鍺條帶以及覆蓋鍺條帶或硅鍺條帶的硅條帶。硅條帶比鍺條帶或硅鍺條帶寬。絕緣體在橫向上與鍺條帶或硅鍺條帶和硅條帶相鄰，并且具有與硅條帶的上表面齊平的上...

本公開的實施例涉及光傳感器。光傳感器包括半導體襯底，其支撐多個像素。每個像素包括光轉換區(qū)，其在襯底的正面和背面之間的襯底中延伸。光學衍射光柵被布置在襯底的背面上方、并且面對像素的光轉換區(qū)的位置處。針對光傳感器的至少兩個不同像素，光學衍射...

在此公開了一種集成電路，包括：半導體襯底；電容器，包括：襯底中的第一阱，形成電容器第一板；垂直延伸到第一阱中的第一溝槽，其包括通過第一絕緣層與第一阱絕緣的第一中心導體；襯底第一阱上的頂表面上有第一厚度的第二絕緣層；和第二絕緣層上的電連接...

本公開的實施例涉及相位調制器設備和方法，該方法包括以下步驟：a)由第一材料形成波導，波導被配置為引導光學信號；b)形成由第二材料制成的層，第二材料是導電且對光學信號的波長透明，步驟a)和b)被實現(xiàn)為使得由第二材料制成的層與波導的面中至少...

本公開涉及一種相變存儲器設備以及電子設備。該相變存儲器設備包括：襯底；在襯底上的晶體管；在晶體管上的第一絕緣層；導電過孔，延伸穿過第一絕緣層；在第一絕緣層上的第二絕緣層；在導電過孔上的電阻元件，該電阻元件延伸穿過第二絕緣層；在電阻元件上...

本公開涉及一種圖像傳感器，該圖像傳感器包括多個像素，每個像素包括：在半導體襯底中豎直地延伸的第一導電類型的摻雜光敏區(qū)域；比光敏區(qū)域更重地摻雜有第一導電類型的電荷收集區(qū)域，電荷收集區(qū)域在襯底中從襯底的上表面豎直地延伸并且被布置在光敏區(qū)域上...

本申請的各實施例涉及電容性光學調制器。一種電容性電光調制器，包括硅層、覆蓋硅層的鍺條帶或硅鍺條帶以及覆蓋鍺條帶或硅鍺條帶的硅條帶。硅條帶比鍺條帶或硅鍺條帶寬。絕緣體在橫向上與鍺條帶或硅鍺條帶和硅條帶相鄰，并且具有與硅條帶的上表面齊平的上...

本公開的各實施例涉及像素和圖像傳感器。一種像素，包括光敏電路、感測節(jié)點、第一晶體管和第一電容器。第一電容器的第一電極連接到第一晶體管的控制端子。第一電容器的第二電極連接到被施加第一控制信號的節(jié)點。根據(jù)本公開的實施例的優(yōu)點在于，提供了一種...

本公開涉及一種用于產生電子組件的方法。通過該方法在公共襯底上共同地產生至少一個雙極型晶體管和至少一個可變電容二極管。

本公開涉及一種用于產生二極管的方法。提供了一種電路，包括至少一個雙極晶體管和至少一個可變電容二極管。使用一種方法來制造電路，其中在共同共用的襯底上共同地產生雙極晶體管和可變電容二極管。

本公開涉及一種相變存儲器的制造方法和相變存儲器設備。方法包括在空腔中形成第一絕緣層，該空腔以與相變材料帶垂直對齊的方式放置，并各向異性地蝕刻第一絕緣層的位于空腔底部的部分；以及包括第一絕緣層的相變存儲器設備，該第一絕緣層緊靠以與相變材料...

本公開的各實施例涉及光電二極管。光電二極管包括第一摻雜劑類型的第一襯底層和在第一襯底層的頂部上的第二摻雜劑類型的第二襯底層。在包括第一襯底層和第二襯底層的半導體襯底中提供半導體壁。半導體壁包括：兩個外半導體壁和定位在兩個外半導體壁之間的...

本發(fā)明涉及一種結構，該結構包括在半導體襯底(5)上的包括鍺的半導體層或半導體層的堆疊的部分(3)，并且包括圍繞所述部分(3)并且對其施加應變的氮化硅的層(7)，其中半導體襯底(5)借助于金屬腿(22)與氮化硅層(7)分離。

本公開涉及光子集成電路芯片和用于光子集成電路的組件。一種光子集成電路芯片包括限定在第一層中的垂直光柵耦合器。第二絕緣層覆蓋垂直光柵耦合器，并且具有金屬層級的互連結構嵌入第二絕緣層中。腔體在深度上延伸穿過第二絕緣層直到在耦合器與最接近耦合...

提供了一種電子裝置。光電二極管包括耦合到施加第一電壓的節(jié)點的半導體區(qū)域和至少一個半導體壁。該至少一個半導體壁至少沿光電二極管的高度延伸并且部分地圍繞該半導體區(qū)域。

本公開的實施例涉及光子系統(tǒng)。一種光子系統(tǒng)包括具有第一面的第一光子電路和具有第二面的第二光子電路。第一光子電路包括第一波導，并且對于每個第一波導，第一光子電路包括覆蓋第一波導的第二波導，第二波導與第一面接觸并且被放置在第一面和第二面之間，...

提供了一種包括光電二極管的電子裝置。光電二極管包括耦合到施加第一電壓的節(jié)點的半導體區(qū)域和至少一個半導體壁。該至少一個半導體壁至少沿光電二極管的高度延伸并且部分地圍繞該半導體區(qū)域。