本發明提供一種超導磁體的失超識別方法及裝置，其中所述方法包括：獲得超導磁體在勵磁過程中生成的原始數據；將原始數據進行特征提取，得到特征組合；將特征組合輸入至預先訓練好的分類模型中，得到分類結果，其中，所述分類結果用于標識所述特征組合為磁...

本申請公開一種基于寬帶單腔雙諧波的控制方法、低電平系統及介質，涉及粒子加速技術領域，方法包括：響應于同步加速器的同步運行指令，獲取預設運行波形數據和同步加速器的高頻腔體采樣信號；對預設運行波形數據的頻率信號和高頻腔體采樣信號進行鑒相處理...

本發明涉及材料輻照效應研究領域，提供一種離子輻照裝置，真空腔室用來模擬空間離子輻照環境。離子加速器通過束流輸入接口向筒體內輸入離子束。光源輸入接口設置在筒體的外周面上，且位于遠離束流輸入接口的位置。第一輻照靶的固定孔內固定太陽能電池后安...

本發明公開了一種放療用多角度劑量驗證裝置，包括推車組件、水箱組件和旋轉組件；推車組件用于裝置的整體搬運、升降和調平；旋轉組件包括旋轉支撐、旋轉盤和旋轉電機，兩個旋轉支撐豎直地緊固連接在推車組件上，兩個旋轉盤分別轉動安裝在兩個旋轉支撐上端...

本發明涉及醫療器械技術領域，提供一種離子加速器。離子加速器包括多個離子源、低能傳輸線、加速器和束流輸運線，低能傳輸線的第一端設有多個離子輸入管道，低能傳輸線的第二端設有離子出口，離子輸入管道與離子源一一對應設置；直線加速器的入口端與離子...

本申請提供了一種特高壓的電壓控制方法和裝置、設備及存儲介質，涉及特高壓控制技術領域。該方法在特高壓電源為負載供電時，通過ADC采集卡獲取當前設定電壓值和當前實際電壓值；將當前設定電壓值和當前實際電壓值進行比較；當比較結果為當前設定電壓值...

本發明涉及重離子發生裝置技術領域，尤其涉及一種用于ECR離子源的金屬離子產生裝置，包括離子產生腔體、微波饋入波導管、高頻高溫感應爐、連通管套、加熱電阻爐、金屬進料盒和偏壓電極，微波饋入波導管、高頻高溫感應爐、連通管套、偏壓電極穿設于離子...

本發明涉及一種加速器設備支架的參數化建模方法及裝置，其中，方法包括：繪制支架結構的三維模型，所述支架結構包括立柱，支板以及連接孔；基于支架結構的三維模型，在所述支板中心位置設定支架的基準軸系，在立柱底面設定基準面，以控制支架高度；確定模...

本發明涉及一種用于降低導流板型切割磁鐵功率的線圈結構，包括線圈繞組和并匝部分；線圈繞組由若干組銅線組繞制成馬鞍形結構，且在其一側，若干組銅線組貼合設置，在其另一側，若干組銅線組間隔設置；在X方向上間隔設置的若干組所述銅線組的內側分別固定...

本發明公開了一種廄螫蠅誘捕劑、制備方法和誘捕方法。本發明廄螫蠅誘捕劑包括味源和溶劑；所述味源由質量比為(1～10)：(1～10)：(10～60)：(10～60)：(0～50)：(0～40)：(20～80)的3?甲基吲哚、碳酸銨、誘蟲烯、...

本發明公開一種以自支撐碳膜為襯底的鎘靶及其制備方法，屬于核靶制備技術領域。制備方法包括：在基體上制備碳膜，得到鍍有碳膜的基體；在碳膜上制備鎘膜，將所述鍍有碳膜的基體置于真空蒸發設備中，真空條件下蒸鍍鎘，蒸鍍鎘過程中對基體施加雙極脈沖偏壓...

本發明涉及一種高計數率下自適應增益放大讀出電路及使用方法，包括積分電壓單元、開關電路、開關控制模塊和觸發控制模塊；開關電路包括并聯連接的增益調節開關和泄放開關；積分電壓單元，用于將獲得的外部探測器信號輸出為積分電壓信號；觸發控制模塊，基...

本發明公開了一種多電極束流剖面探測器。該多電極束流剖面探測器包括：多個金屬電極感應條帶陣列，沿周向分布于真空束流管道中，并設置在束團離子通過的通道外側，每個金屬電極感應條帶陣列包括多個金屬電極感應條帶；支撐結構，用于固定多個金屬電極感應...

本發明屬于加速器中電路芯片檢測技術領域，涉及一種基于核孔膜的數字電路芯片單粒子翻轉甄別系統和方法，包括：聚合物膜放置在待測數字電路芯片前；束流發射模塊，用于發射束流，束流對聚合物膜和待測數字電路芯片進行輻照，生成核孔膜；單粒子翻轉檢測模...

本發明涉及一種醫用α核素225Ac的制備與分離系統及方法，系統包括：232Th靶，用于接收中高能的質子束轟擊，通過散裂反應產生核素225Ac；可調諧激光裝置，用于針對目標元素，選擇相應波長的兩束或三束激光射入熱腔電離室；熱腔電離室，用于...

本發明涉及一種用于硅微條探測器的讀出單通道結構及其使用方法，其包括：雙電源供電的放大單元，用于接收硅微條探測器等效電路輸出的待識別電荷信號，并將接收的待識別電荷信號進行放大，得到待識別電荷信號的放大信號；極性選擇電路，用于切換放大信號中...

本發明公開了一種用于金屬鈮的納米級微量可控化學表面精細剝蝕方法。所述方法包括分步式酸洗的步驟：硝酸溶液中氧化以形成納米級氧化膜、氫氟酸中溶解所述納米級氧化膜。處理鈮片時，所述硝酸溶液和所述氫氟酸完全浸沒樣片，且液面高于樣片上表面10mm...

本發明屬于加速器束流診斷領域，涉及一種異形極板的緊湊束流位置探針裝置及使用方法，包括：束流真空管、若干極板和真空饋通；所述極板均勻設置在所述束流真空管的內壁側，且所述極板兩兩對稱設置，其中，至少有一對極板包括一主極板和兩個向外延伸的副極...

本發明涉及晶體微結構分析技術領域，公開了一種晶體空位缺陷類型識別方法及裝置。本發明可以獲取與晶體樣品的N個預期空位缺陷類型一一對應的N個正電子湮滅動量展寬譜的理論比例譜，確定N個理論比例譜在預設的峰位偏移量區間中的多個公共交點；根據公共...

本發明公開了用于高功率束流監測的抗輻照耐高溫的熒光靶。所述熒光靶面向束流的外表面為形成于金屬基底的梯度氧化鋁層，所述梯度氧化鋁層包括由外至內的氧化鋁層和鋁與基底形成的合金化層；所述氧化鋁層具有納米多晶結構。本發明熒光靶中的涂層具有梯度結...