一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、光取出層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述光取出層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自二氧化鉿及二硼化鉿中的至少一種，所述客體材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:20~3:10，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明專利技術(shù)還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
[0001 ] 本專利技術(shù)涉及一種。
技術(shù)介紹
有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
基于此，有必要提供一種出光效率較高的。一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、光取出層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述光取出層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自二氧化鉿及二硼化鉿中的至少一種，所述客體材料選自 二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:20-3:10，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光取出層的厚度為50nnT200nm,所述陽極的厚度為80nnT300nm。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述玻璃基底的折射率為1.8^2.2。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴傳輸層的材料選自I，1-二 [4-[N，K -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4-三(咔唑-9-基)三苯胺及Ν，Ν’_ (1-萘基)_Ν，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺。一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:在玻璃基底表面電子束蒸鍍制備光取出層，所述光取出層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自二氧化鉿及二硼化鉿中的至少一種，所述客體材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:20-3:10，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；在所述光取出層表面磁控濺射制備陽極，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物 '及在所述陽極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光取出層的厚度為50nnT200nm,所述陽極的厚度為80nnT300nm。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述玻璃基底的折射率為1.8^2.2。在其中一個(gè)實(shí)施例中，電子束蒸鍍光取出層時(shí)的能量密度為lOW/cnTlOOW/cm2。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述玻璃基底在電子束蒸鍍制備光取出層前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡I小時(shí)~12小時(shí)。上述，在陽極與玻璃基底之間制備光取出層，使用鉿的化合物與鑭系的鐠氧化物進(jìn)行摻雜，鉿的化合物的高透射波段寬(在200nm~10 μ m透過70%以上)，高折射率(折射率大于2.0),可對光進(jìn)行有效的折射與反射，同時(shí)，與陽極折射率較匹配，可避免界面的全反射現(xiàn)象，鑭系的鐠氧化物穩(wěn)定性高，成膜性較好可提高光取出層的穩(wěn)定性，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高；同時(shí)，有效避免了 ITO中的金屬離子向玻璃基底的擴(kuò)散，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。【附圖說明】 圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率關(guān)系圖。【具體實(shí)施方式】下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對進(jìn)一步闡明。請參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的玻璃基底10、光取出層20、陽極30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。玻璃基底10為折射率為1.8~2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底10優(yōu)選為牌號(hào)為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。光取出層20形成于玻璃基底10的一側(cè)表面。光取出層20的材料為光取出層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料。主體材料選自二氧化鉿(HfO2)及二硼化鉿(HfB2)中的至少一種。客體材料選自二氧化鐠(Pr02)、三氧化二鐠(Pr203)、三氧化鐿(Yb2O3)及氧化釤(Sm2O3)中的至少一種。客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:20-3:10。光取出層20的厚度為50nnT200nm。光取出層中，主體材料的折射率大于2.0，較高，且在200nm~10 μ m透過率大于70%，高透射波段較寬。陽極30形成于光取出層20的表面。陽極30的材料為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極30的厚度為80nnT300nm。空穴注入層40形成于陽極30的表面。空穴注入層40的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03。空穴注入層40的厚度為20nm~80nm,優(yōu)選為 50nm。空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面。空穴傳輸層50的材料選自1，1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB。空穴傳輸層50的厚度為20nnT60nm，優(yōu)選為30nm。發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為20nm。電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為Bphen。電子傳輸層70的厚度為40nnT250nm,優(yōu)選為160nm。電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為Cs2C03。電子注入層80的厚度為0.5nm~IOnm,優(yōu)選為lnm。陰極90 形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、光取出層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述光取出層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自二氧化鉿及二硼化鉿中的至少一種，所述客體材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:20~3:10，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、光取出層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述光取出層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的客體材料，所述主體材料選自二氧化鉿及二硼化鉿中的至少一種，所述客體材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:20-3:10，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述光取出層的厚度為50nm~200nm,所述陽極的厚度為80nm~300nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8~2.2。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料選自1，1_ 二 [4-[Ν，Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周明杰，王平，黃輝，張振華，
申請(專利權(quán))人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44
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