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    一種電流采樣電路制造技術

    技術編號:10363473 閱讀:162 留言:0更新日期:2014-08-27 19:28
    本實用新型專利技術提供一種電流采樣電路,包括管腳Ps、分流功率NMOS管、采樣功率NMOS管M2、M3、M4、采樣電阻Rs,分流功率NMOS管和采樣功率NMOS管M2、M3和M4的漏極接管腳Ps,分流功率NMOS管和采樣功率NMOS管M2的柵極接電源Vin,采樣電阻Rs的一端接采樣管M2、M3、M4的源極,另一端接地,其特征在于:采樣功率NMOS管M3和M4的導通狀態被信號分別控制,所述控制采樣功率NMOS管M3和M4導通狀態的信號外部輸入管腳A和管腳B提供??梢詫崿F多種限流值,方式簡單。(*該技術在2023年保護過期,可自由使用*)

    【技術實現步驟摘要】
    一種電流采樣電路
    [0001 ] 本技術涉及集成電路領域,特別涉及用于模擬集成電路中的電流采樣電路。
    技術介紹
    在集成電路的中,尤其是模擬集成電路中,為了檢測大電流,因為功耗等的要求需要對電流進行采樣后在進行檢測。而通常電流的采樣只能有一種采樣值。這樣的方案主要存在以下缺陷:因為只能采樣一種電流,所以它所能檢測的電流值只有一種,不便于實現多種電流值得采樣檢測。
    技術實現思路
    為了解決電流檢測電路只能采樣一種電流值,不便于實現多種電流值得采樣檢測的缺點。本技術的解決方案如下:一種電流采樣電路,包括管腳Ps、分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)、采樣電阻Rs (8),分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏極接管腳Ps,分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)的柵極接電源Vin,采樣電阻Rs (8)的一端接采樣管NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)的源極,另一端接地。采樣功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)的導通狀態被信號分別控制,所述控制采樣功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)導通狀態的信號由外部輸入管腳A (7)和管腳B (8)提供。本專利技術具有以下優點:電流采樣電路信號A和B由外部輸入第一管腳(7)和第二管腳(8)提供。實現多種限流值,方式簡單?!靖綀D說明】圖1為本專利技術的示意圖?!揪唧w實施方式】如圖1所示,Ml、M2、M3、M4為功率NMOS管。Ml為分流管,M2、M3、M4為采樣管。其中M1、M2柵極接電源Vin,因此M1、M2是處于常導通狀態,為固定接入狀態。M3、M4的導通狀態通過外部輸入管腳7和8提供的信號A、B分別接M3、M4的柵極進行控制。當M3、M4的柵極信號為高電平時M3、M4導通,為低電平時M3、M4截止。根據實際需要控制M3、M4的導通狀態。管腳Ps接功率MOS管Ml、M2、M3、M4的漏極。采樣電阻Rs —端接采樣管M2、M3、M4的源極,另一端接地。Ps中有電流輸入。因為M1、M2是處于常導通狀態,Ps中的電流流過Ml、M2,流過Ml的電流直接到地,而流過M2的電流流入采樣電阻Rs,當外部輸入管腳7和8進行控制的M3和/或M4導通時,Ps中的電流流過它們后,流入采樣電阻Rs。流入的電流在采樣電阻Rs產生電壓Vs后輸出給后續電路。其中Ml、M2、M3、M4以一定的大小比例設置。所設置的比例值根據電路的具體情況而定。通過外部輸入管腳7和8對M3和/或M4導通狀態的控制,可以通過M2、M3、M4得到不同的采樣電流,因此通過采樣電阻Rs也就可以產生不同的電壓Vs。M2、M3、M4導通的越多,采樣的電流越大,產生的采樣電壓Vs也就越大。最大時為M2、M3、M4全部導通。采樣電流具體見下表1 (信號A、B不同狀態對應采樣值)。本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種電流采樣電路,包括管腳Ps、分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2(4)、M3(5)、M4(6)、采樣電阻Rs(8),分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2(4)、M3(5)和M4(6)的漏極接管腳Ps,分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2(4)的柵極接電源Vin,采樣電阻Rs(8)的一端接采樣功率NMOS管M2(4)、M3(5)、M4(6)的源極,另一端接地,其特征在于:采樣功率NMOS管M3(5)和M4(6)的導通狀態被信號分別控制,所述控制采樣功率NMOS管M3(5)和M4(6)導通狀態的信號由外部輸入管腳A(7)和管腳B(8)提供。

    【技術特征摘要】
    1.一種電流采樣電路,包括管腳Ps、分流功率NMOS管(3)、采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)、采樣電阻Rs (8),分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏極接管腳Ps,分流功率NMOS管(3)和采樣功率NMOS管M2 (4)的柵極接...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:張俊
    申請(專利權)人:陜西易陽科技有限公司,
    類型:新型
    國別省市:陜西;61

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