容納容器內的氣氛管理方法技術

本發(fā)明專利技術提供容納容器內的氣氛管理方法。其是處理裝置中的容納容器內的氣氛管理方法，處理裝置具有由分隔壁隔開的基板搬送區(qū)域和容器搬送區(qū)域，分隔壁具有利用開閉門進行開閉的搬送口；處理裝置包括：容器保管架，其設于該容器搬送區(qū)域，用于暫時載置能夠利用蓋體的開閉而密閉容納多個基板的容納容器以供容納容器待機；蓋體開閉機構，其設于開閉門，能夠一邊拆卸容納容器的與搬送口的口緣部密合的蓋體一邊用非活性氣體對容納容器內進行置換；氣氛管理方法具有如下工序：利用蓋體開閉機構來用非活性氣體對容納有未處理的基板的容納容器內進行置換；將內部被非活性氣體置換后的容納容器搬送并載置到容器保管架上；以及使容納容器在容器保管架上待機。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術提供。其是處理裝置中的，處理裝置具有由分隔壁隔開的基板搬送區(qū)域和容器搬送區(qū)域，分隔壁具有利用開閉門進行開閉的搬送口；處理裝置包括：容器保管架，其設于該容器搬送區(qū)域，用于暫時載置能夠利用蓋體的開閉而密閉容納多個基板的容納容器以供容納容器待機；蓋體開閉機構，其設于開閉門，能夠一邊拆卸容納容器的與搬送口的口緣部密合的蓋體一邊用非活性氣體對容納容器內進行置換；氣氛管理方法具有如下工序：利用蓋體開閉機構來用非活性氣體對容納有未處理的基板的容納容器內進行置換；將內部被非活性氣體置換后的容納容器搬送并載置到容器保管架上；以及使容納容器在容器保管架上待機。【專利說明】
本專利技術涉及。
技術介紹
以往，在半導體制造工藝中，需要對半導體晶圓（以下也可簡稱"晶圓"。）反復進 行熱處理、成膜處理、蝕刻處理等多種不同的處理。這樣的各種工藝多在不同的處理裝置 中進行，所以需要在處理裝置之間搬送半導體晶圓。因此，在搬送半導體晶圓時，為了防 止在半導體晶圓的表面上附著異物或形成自然氧化膜，將半導體晶圓容納于被稱為F0UP (Front-Opening Unified Pod:前開式晶圓傳送盒）的基板容納容器（晶圓載體）中，在將容 器內的潔凈度保持在某種程度的級別的狀態(tài)下進行搬送。F0UP構成為，具有能夠水平載置 多張半導體晶圓的容器和設于容器前表面的蓋體，在蓋體上設有鎖定機構，能夠密閉地容 納半導體晶圓。 另一方面，在對半導體晶圓進行處理的各處理裝置上形成有用于搬入被容納于 F0UP中的半導體晶圓的搬送口。該搬送口利用基于FIMS (Front-Opening Interface Mechanical Standard:前開式接口機械標準）規(guī)格的開閉門來進行開閉。開閉門具有用于 拆卸被設于F0UP前表面的蓋體的蓋體開閉機構。也就是說，要求開閉門具有為了在F0UP 內和處理裝置內的晶圓搬送區(qū)域之間交接晶圓而開閉蓋體的作用以及為了將處理裝置內 的晶圓搬送區(qū)域保持為低氧濃度而將晶圓搬送區(qū)域自載體搬送區(qū)域中隔離開來的作用。 具體說明拆卸蓋體的工序，在使F0UP的前表面與處理裝置的搬送口密合的狀態(tài) 下，使蓋體開閉機構朝F0UP的蓋體前進，然后作用于設于蓋體上的鎖定機構而解除該鎖 定。然后，使蓋體開閉機構在保持解除了鎖定的蓋體的狀態(tài)下向處理裝置內的晶圓搬送區(qū) 域側后退，使載體內的半導體晶圓向晶圓搬送區(qū)域開放。在打開F0UP時，在開閉門和F0UP 之間的空間中吹掃氮氣，F0UP內部被氮氣置換。這樣，自F0UP搬出的半導體晶圓不會暴露 于氧中，而且還能以避免氧進入處理裝置內的狀態(tài)將半導體晶圓搬入到裝置內。 然而，在向各種處理裝置搬入F0UP時，有時將F0UP直接設置于搬送口而將其搬 入到處理裝置的晶圓搬送區(qū)域內，有時將F0UP暫時保管于用于載置F0UP的被稱為存放器 (stocker)的容器保管架。通常，在進行批量處理的處理裝置中，為了一次處理被容納于多 個F0UP中的晶圓，要將F0UP暫時容納于存放器，在向晶圓搬送區(qū)域內搬入晶圓時，將多個 F0UP連續(xù)且交替地設置于搬送口，將一次要處理的張數的晶圓一次性搬入到晶圓搬送區(qū)域 內。由此，當在存放器待機時，能夠將晶圓密閉容納于F0UP內且保持某種程度的潔凈度，此 夕卜，在搬送到了晶圓搬送區(qū)域內時，也能立即將晶圓搬入到處理容器內來進行處理，因此， 能夠一邊保持晶圓的潔凈狀態(tài)一邊進行處理。 此外，在使用這樣的存放器的基板處理裝置中，公知有如下這樣構成的基板處理 裝置(例如，參照日本特許第4308975號)，該基板處理裝置為了在F0UP盒在盒架(存放器） 的架板上上待機的期間也進行F0UP內的氮置換，將配設于F0UP盒的底板上的氮氣流入部 嵌入于架板的氮氣供給部之后，使氮氣自氮氣供給部流入到F0UP盒內，從而使F0UP盒內被 氮氣所充滿。 通過該結構，即使在F0UP在存放器中待機的情況下，也能進行F0UP內的氮置換， 保持F0UP內的潔凈度。
技術實現思路
本專利技術的一技術方案的是處理裝置中的容納容器內 的氣氛管理方法，該處理裝置具有由分隔壁隔開的基板搬送區(qū)域和容器搬送區(qū)域，該分隔 壁具有利用開閉門進行開閉的搬送口；該處理裝置包括：裝載部，其設于該容器搬送區(qū)域， 能夠載置容納容器；容器保管架，其設于上述容器搬送區(qū)域，用于暫時載置能夠利用蓋體的 開閉而密閉容納多個基板的容納容器以供該容納容器待機；蓋體開閉機構，其設于上述開 閉門，能夠一邊拆卸上述容納容器的與上述搬送口的口緣部密合的上述蓋體一邊用非活性 氣體對上述容納容器內進行置換；該具有：氣體置換工序，利 用上述蓋體開閉機構來用上述非活性氣體對容納有未處理的上述基板的上述容納容器內 進行置換；保管工序，將內部被上述非活性氣體置換后的上述容納容器搬送并載置到上述 容器保管架上；氣氛維持工序，使上述容納容器在上述容器保管架上待機。 上述的技術方案用于簡要說明，并不意圖在任一方式中構成限制。除了上述的說 明的技術方案、實施例及特征之外，追加的技術方案、實施例及特征通過參照附圖以及下面 的詳細說明應可明了。 【專利附圖】【附圖說明】 圖1是適于實施本專利技術的實施方式的的立式熱處理 裝置的一個例子的縱剖視圖。 圖2是適于實施本專利技術的實施方式的的立式熱處理 裝置的一個例子的俯視圖。 圖3是立式熱處理裝置的載體、晶圓的搬送口及開閉門的縱剖視圖。 圖4是立式熱處理裝置的載體、晶圓的搬送口及開閉門的橫剖視圖。 圖5是立式熱處理裝置的搬送口及載體的立體圖。 圖6是載體的蓋體的主視剖視圖。 圖7是表示載體與搬送口密合后的狀態(tài)的圖。 圖8是表示蓋體開閉機構的相對板與蓋體接觸后的狀態(tài)的圖。 圖9是表示相對板真空吸附蓋體、而蓋體被固定于相對板后的狀態(tài)的圖。 圖10是表示拆卸了蓋體的狀態(tài)的圖。 圖11是表示晶圓搬入工序的一個例子的圖。 圖12是表示適于實施本專利技術的實施方式的的立式熱 處理裝置的一個例子的的立體圖。 圖13是圖12所示的立式熱處理裝置的簡化圖。 圖14是用于說明本專利技術的實施方式的的一個例子的 時序的圖。圖14的（A)是表示將載體投入裝載部后的狀態(tài)的圖。圖14的（B)是表示實施 了氮置換工序的狀態(tài)的圖。圖14的（C)是表示將載體自裝載部搬送到了載體保管架的狀 態(tài)的圖。圖14的（D)是表示載體保管工序及氣氛維持工序的一個例子的圖。圖14的（E) 是表示載體保管架被占滿的狀態(tài)的圖。圖14的（F)是表示載體移動工序的一個例子的圖。 圖14的（G)是表示工藝工序的一個例子的圖。圖14的（H)是表示晶圓搬出工序的一個例 子的圖。圖14的（I)是表不載體搬出工序的一個例子的圖。 圖15是表示本實施方式的的一個例子的處理流程 圖。 圖16是表示載體的一個例子的底面結構的圖。 圖17是用于說明本實施方式的立式熱處理裝置的載體保管架中的低速氮置換機 構的圖。圖17的（A)是表示本實施方式的立式熱處理裝置的載體保管架的結構的圖。圖 17的（B)是放大表示載體保管架的一個例子的表面的圖。圖17的（C)是表示載體保管架 的供給噴嘴的圖。圖17的（本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種容納容器內的氣氛管理方法，其是處理裝置中的容納容器內的氣氛管理方法，該處理裝置具有由分隔壁隔開的基板搬送區(qū)域和容器搬送區(qū)域，該分隔壁具有利用開閉門進行開閉的搬送口；該處理裝置包括：裝載部，其設于該容器搬送區(qū)域，能夠載置容納容器；容器保管架，其設于上述容器搬送區(qū)域，用于暫時載置能夠利用蓋體的開閉而密閉容納多個基板的容納容器以供該容納容器待機；蓋體開閉機構，其設于上述開閉門，能夠一邊拆卸上述容納容器的與上述搬送口的口緣部密合的上述蓋體一邊用非活性氣體對上述容納容器內進行置換；該容納容器內的氣氛管理方法具有：氣體置換工序，利用上述蓋體開閉機構來用上述非活性氣體對容納有未處理的基板的上述容納容器內進行置換；保管工序，將內部被上述非活性氣體置換后的上述容納容器搬送并載置到上述容器保管架上；氣氛維持工序，使上述容納容器在上述容器保管架上待機。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：小山勝彥，竹內靖，淺利伸二，
申請(專利權)人：東京毅力科創(chuàng)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP