基板處理裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種基板處理裝置；更詳細(xì)地說，涉及一種利用等離子體的基板處理裝置。根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)一實(shí)施例的基板處理裝置包括：腔室、支撐單元、電介質(zhì)組件以及等離子體源。本發(fā)明專利技術(shù)的基板處理裝置通過采用非金屬加熱器，能夠使施加于上部天線的RF耦合效應(yīng)最小化；并且能夠考慮到天線的形狀，而對加熱區(qū)域進(jìn)行個(gè)別的體現(xiàn)，從而具有能夠使天線下部的發(fā)熱部位和其它區(qū)域的溫度梯度相適應(yīng)的極佳的效果。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
基板處理裝置
本專利技術(shù)涉及一種基板處理裝置。更詳細(xì)地說，涉及一種利用等離子體的基板處理裝置。
技術(shù)介紹
等離子體發(fā)生裝置包括有用于薄膜沉積的等離子體裝置(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)、蝕刻沉積的薄膜而進(jìn)行構(gòu)圖的蝕刻裝置、濺射裝置(Sputter)、灰化(Ashing)裝置等。并且，這種等離子體裝置根據(jù)RF電源的施加方式可分為：電容耦合型(CapacitivelyCoupledPlasma，CCP)裝置和電感耦合型(InductivelyCoupledPlasma，ICP)裝置。電容耦合型裝置是利用對相互對向的平行板和電極施加RF電源時(shí)在電極之間垂直形成的RF電場而發(fā)生等離子體的方式。而電感耦合型裝置是利用由天線誘導(dǎo)出的感應(yīng)電場而將源物質(zhì)轉(zhuǎn)變成等離子體的方式?，F(xiàn)有的電感耦合型裝置的天線是以線圈的形狀提供。因此很難對提供至天線下部的支撐板的整體進(jìn)行均勻地控制，使其呈高溫。并且，由于與天線發(fā)生干涉，加熱部件只能提供至支撐板的側(cè)面，因此很難全面并均勻的控制支撐板的溫度。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種能夠均勻地調(diào)節(jié)支撐板的溫度的基板處理裝置。本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題不限定于上述的技術(shù)問題，根據(jù)本說明書以及附圖，本專利技術(shù)所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能清楚地理解尚未提及的技術(shù)。技術(shù)方案根據(jù)本專利技術(shù)的一側(cè)面，本專利技術(shù)提供一種基板處理裝置，該裝置包括：腔室，其內(nèi)部具有上面開放的處理空間；支撐單元，其配置于所述腔室內(nèi)，用于支撐基板；電介質(zhì)組件，其配置于所述腔室的開放的上面，并覆蓋所述開放的上面；以及等離子體源，其位于所述電介質(zhì)組件的上側(cè)，并具有由供給至所述腔室內(nèi)的氣體產(chǎn)生等離子體的天線。其中所述電介質(zhì)組件包括：電介質(zhì)窗；以及加熱單元，其由非金屬材質(zhì)構(gòu)成，配置于電介質(zhì)窗的上部面，用于對所述電介質(zhì)窗進(jìn)行加熱。并且，從上部觀察時(shí)，所述電介質(zhì)窗被劃分為與所述天線對向的第1區(qū)域，以及不與所述天線對向的第2區(qū)域，而所述加熱單元可提供至所述第2區(qū)域。并且，從上部觀察時(shí)，所述電介質(zhì)窗被劃分為與所述天線對向的第1區(qū)域，以及不與所述天線對向的第2區(qū)域，在加熱單元可以以能夠分別獨(dú)立地控制所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域的方式提供。并且，所述加熱單元能夠包括薄膜型碳加熱膜。并且，所述非金屬材質(zhì)可包括碳納米管。并且，所述電介質(zhì)組件可進(jìn)一步包括冷卻線，其用于冷卻電介質(zhì)窗。并且，從上部觀察時(shí)，所述冷卻線可以以與所述天線對向的方式提供。并且，所述加熱單元可被劃分為多個(gè)區(qū)域，并對劃分出的多個(gè)區(qū)域進(jìn)行獨(dú)立地進(jìn)行控制。有益效果根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，通過采用非金屬加熱器，能夠使施加于上部天線的RF耦合效應(yīng)最小化。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，能夠考慮到天線的形狀，而對加熱區(qū)域進(jìn)行個(gè)別的體現(xiàn)，從而具有能夠使天線下部的發(fā)熱部位和其它區(qū)域的溫度梯度相適應(yīng)的極佳的效果。本專利技術(shù)的效果不限定于上述的效果，根據(jù)本說明書以及附圖，本專利技術(shù)所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能清楚地理解尚未提及的效果。附圖說明圖1是示出根據(jù)本專利技術(shù)一實(shí)施例的基板處理裝置的剖視圖。圖2是示出圖1的腔室的立體圖。圖3是示出電介質(zhì)組件的側(cè)面剖視圖。圖4是電介質(zhì)組件的平面圖。圖5是示出電介質(zhì)組件的變形例的側(cè)面剖視圖。圖6是示出加熱單元的多種形態(tài)的附圖。具體實(shí)施方式以下，參照附圖對本專利技術(shù)的實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)的說明。本專利技術(shù)的實(shí)施例可以以多種形態(tài)進(jìn)行變形，本專利技術(shù)的范圍不應(yīng)解釋為限定于以下的實(shí)施例。本實(shí)施例是為了對本領(lǐng)域技術(shù)人員更完整地說明本專利技術(shù)而提供的。因此，為了更明確地強(qiáng)調(diào)說明，附圖中的要素的形狀被有所夸張。本專利技術(shù)的實(shí)施例將對利用等離子體蝕刻基板的基板處理裝置進(jìn)行說明。但本專利技術(shù)并不限定于此，而是可適用于向腔室內(nèi)供給等離子體后執(zhí)行工序的多種種類的裝置。圖1是示出根據(jù)本專利技術(shù)一實(shí)施例的基板處理裝置的剖視圖。參照圖1，基板處理裝置10利用等離子體對基板W進(jìn)行處理。例如，基板處理裝置10可對基板W進(jìn)行蝕刻工序。基板處理裝置10包括：腔室100、支撐單元200、氣體供給單元300、等離子體源400、以及阻板(baffle)單元500。腔室100提供執(zhí)行基板處理工序的空間。腔室100包括：外殼110、電介質(zhì)組件120以及襯墊130。外殼110的內(nèi)部具有上面開放的空間。外殼110的內(nèi)部空間提供為執(zhí)行基板處理工序的空間。外殼110由金屬材質(zhì)構(gòu)成。作為一例，外殼110可由鋁材質(zhì)構(gòu)成。外殼110可接地。外殼110的底面形成有排氣孔102。排氣孔102與排氣線151相連接。在工序過程中產(chǎn)生的反應(yīng)副產(chǎn)物以及停留在外殼的內(nèi)部空間的氣體可以通過排氣線151向外部排出。通過排氣過程，外殼110的內(nèi)部減壓為規(guī)定壓力。襯墊130提供于外殼110的內(nèi)部。襯墊130的內(nèi)部形成上面與下面開放的空間。作為一例，襯墊130可提供為圓筒形狀。襯墊130可具有與外殼110的內(nèi)側(cè)面相對應(yīng)的半徑。襯墊130可沿外殼110的內(nèi)側(cè)面而提供。襯墊130的上端形成有支撐環(huán)131。支撐環(huán)131提供為環(huán)形狀的盤，并沿襯墊130的周緣向襯墊130的外側(cè)突出。支撐環(huán)131配置于外殼110的上端，用于支撐襯墊130。襯墊130可由與外殼110相同的材質(zhì)提供。作為一例，襯墊130可由鋁材質(zhì)提供。襯墊130用于保護(hù)外殼110的內(nèi)側(cè)面。工藝氣體被激發(fā)的過程中，在腔室100的內(nèi)部有可能會(huì)發(fā)生電弧(Arc)放電。電弧放電會(huì)損傷周邊的裝置。襯墊130保護(hù)外殼110的內(nèi)側(cè)面，防止外殼110的內(nèi)側(cè)面由于電弧放電而發(fā)生損傷。并且，還可防止在基板處理工序中產(chǎn)生的雜質(zhì)沉積在外殼110的內(nèi)側(cè)壁。相比于外殼110，襯墊130的價(jià)格相對低廉，替換相對簡單。因此，當(dāng)襯墊130由于電弧放電而發(fā)生損傷時(shí)，工作者可將其替換成新的襯墊130。支撐單元200位于外殼110的內(nèi)部。支撐單元200用于支撐基板W。支撐單元200可包括利用靜電力吸附基板W的靜電吸盤210。與此不同，支撐單元200也可以通過機(jī)械夾等多種方式來支撐基板W。以下，對包括靜電吸盤210的支撐單元200進(jìn)行說明。支撐單元200包括：靜電吸盤210、絕緣板250以及下部罩270。支撐單元200在腔室100內(nèi)部，從外殼110的底面向上部間隔而設(shè)置。靜電吸盤210包括：支撐板220、電極223、加熱器225、底板230以及聚焦環(huán)240。支撐板220位于靜電吸盤210的上端部。支撐板220可提供為圓盤形狀的電介質(zhì)(dielectricsubstance)。支撐板220的上面放置有基板W。支撐板220的上表面具有比基板W小的半徑。因此，基板W的邊緣區(qū)域位于支撐板220的外側(cè)。支撐板220上形成有第1供給流路221。第1供給流路221從支撐板210的上表面向底面提供。第1供給流路221相互間隔地形成有多個(gè)，其作為向基板W的底面供給熱傳遞介質(zhì)的通路而提供。支撐板220的內(nèi)部埋設(shè)有下部電極223和加熱器225。下部電極223位于加熱器225的上部。下部電極223與第1下部電源223a電連接。第1下部電源223a包括直流電源。下部電極223和第1下部電源223a之間設(shè)置有開關(guān)223b。下部電極223可以通過開關(guān)223b的導(dǎo)通/斷開(ON/OFF)而與第1下部電源223a電連接。當(dāng)開關(guān)223b導(dǎo)通(ON)時(shí)，在本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種基板處理裝置，包括：腔室，其內(nèi)部具有上面開放的處理空間，支撐單元，其配置于所述腔室內(nèi)，用于支撐基板，電介質(zhì)組件，其配置于所述腔室的開放的上面，并覆蓋所述開放的上面，以及等離子體源，其位于所述電介質(zhì)組件的上側(cè)，并具有由供給至所述腔室內(nèi)的氣體產(chǎn)生等離子體的天線；其中，所述電解質(zhì)組件包括：電介質(zhì)窗；以及加熱單元，其由非金屬材質(zhì)構(gòu)成，配置于電介質(zhì)窗的上部面，用于對所述電介質(zhì)窗進(jìn)行加熱。

【技術(shù)特征摘要】
2013.10.31 KR 10-2013-0131346;2013.12.30 KR 10-2011.一種基板處理裝置，包括：腔室，其內(nèi)部具有上面開放的處理空間，支撐單元，其配置于所述腔室內(nèi)，用于支撐基板，電介質(zhì)組件，其配置于所述腔室的開放的上面，并覆蓋所述開放的上面，以及等離子體源，其位于所述電介質(zhì)組件的上側(cè)，并具有由供給至所述腔室內(nèi)的氣體產(chǎn)生等離子體的天線；其中，所述電介質(zhì)組件包括：電介質(zhì)窗；以及加熱單元，其由非金屬材質(zhì)構(gòu)成，配置于電介質(zhì)窗的上部面，用于對所述電介質(zhì)窗進(jìn)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金炯俊，金承奎，
申請(專利權(quán))人：細(xì)美事有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：韓國;KR