一種可鋼化三銀LOW?E玻璃及制備方法技術

本發明專利技術公開了一種可鋼化三銀LOW?E玻璃，包括有玻璃基片，在所述的玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地復合有二十個膜層，其特征在于：其中第一膜層即最內層為SiNx層，第二膜層為TiO2層，第三膜層為ZnO層，第四膜層為NiCr層，第五膜層為Ag層，第六層膜為NiCr層，第七膜層為TiO2層，第八膜層為ZnO2層，第九膜層為NiCr層，第十膜層為Ag層，第十一膜層為NiCr層，第十二膜層為TiO2層，第十三膜層為ZnO2層，第十四膜層為NiCr層，第十五層為Ag層，第十六層為NiCr層，第十七層為TiO2層，第十八層為ZnO層，第十九層為SiNx層，第二十層即最外層為SiC層。

【技術實現步驟摘要】
【專利說明】
本專利技術涉及一種鍍膜玻璃，更具體地說是一種可鋼化三銀LOW-E玻璃，本專利技術還涉及一種玻璃的制備方法。【
技術介紹
】玻璃是在當代的生產和生活中扮演著重要角色，鍍膜玻璃廣泛應用，但是現有的鍍膜玻璃膜層容易劃傷，抗熱性能差，光透過率低，反射率高，遮陽系數高，鋼化后顏色偏差大。【
技術實現思路
】本專利技術目的是克服了現有技術的不足，提供一種膜層抗機械劃傷能力強及耐熱性能好，透過率高，反射率低，遮陽系數小，鋼化后顏色偏差小的可鋼化三銀LOW-E玻璃。本專利技術還提供一種可鋼化三銀LOW-E玻璃的制備方法。本專利技術是通過以下技術方案實現的:一種可鋼化三銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片I的復合面上由內到外依次相鄰地復合有二十個膜層，其特征在于:其中第一膜層即最內層為SiNJl21，第二膜層為T1Jl 22，第三膜層為ZnO層23，第四膜層為NiCr層24，第五膜層為Ag層25，第六層膜為NiCr層26，第七膜層為T1jl 27，第八膜層為ZnO 2層28，第九膜層為NiCr層29，第十膜層為Ag層210，第^^一膜層為NiCr層211，第十二膜層為T1jl 212，第十三膜層為2]102層213，第十四膜層為NiCr層214，第十五層為Ag層215，第十六層為NiCr層216，第十七層為T1Jl 217，第十八層為ZnO層218，第十九層為SiN Jl 219，第二十層即最外層為SiC層220。一種制備可鋼化三銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟:(I)磁控濺射SiNjl，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料，使用純度為99.9%的Si靶作濺射；(2)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應氣體的濺射半導體材料陶瓷Ti革巴；(3)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶；(4)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；(5)磁控濺射Ag層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；(6)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；(7)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應氣體的濺射半導體材料陶瓷Ti革巴；(8)磁控濺射ZnOjl，用中頻交流電源濺射，氧氣作主反應氣體的氬氣作輔助反應濺射；(9)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；(10)磁控濺射Ag層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；(11)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；(12)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應氣體的濺射半導體材料陶瓷Ti靶；(13)磁控濺射ZnOJl，用中頻交流電源濺射，氧氣作主反應氣體的氬氣作輔助反應濺射；(14)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；(15)磁控濺射Ag層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；(16)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；(17)磁控濺射T1Jl，用中頻交流電源、氬氣作主反應氣體的濺射；(18)磁控濺射ZnO層，用中頻交流電源濺射，氧氣作主反應氣體的氬氣作輔助反應濺射；(19)磁控濺射SiNjl，用中頻交流電源、氮氣作主反應氣體濺射半導體材料，使用純度為99.9%的Si靶作濺射；(20)磁控濺射SiC層，用中頻交流電源，氬氣作主反應氣體濺射半導體陶瓷SiC靶。與現有技術相比，本專利技術有如下優點:1、本玻璃使用SiC作頂膜進一步提高鍍膜層的抗機械劃傷能力及耐熱性能，與SiNJ莫組合使用使膜層的硬度進一步提高，降低了加工的難度，更方便加工，SiC與SiN ,光學性能接近。2、本玻璃利用SiNx作基膜，提高膜層的硬度，可防止納離子的注入破壞銀層，使整個膜層在高溫下耐熱性更好，機械性更好，具有可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性。3、本玻璃鋼化后透光率T(透過透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率)彡65%，輻射率< 0.03，反射率< 15，遮陽系數SCS 0.4。本玻璃輻射率< 0.03，輻射率是某物體的單位面積輻射的熱量同單位面積黑體在相同溫度、相同條件下輻射熱量之比。輻射率定義是某物體吸收或反射熱量的能力。玻璃的輻射率越接近于零，其絕熱性能就越好。 4、本玻璃鋼可合成中空使用，可滿足異地鋼化、中空加工使用。5、本玻璃鋼化后顏色偏差較小，a* = -3.5?_4，b* = -4.5?-5.5。【【附圖說明】】圖1是本專利技術結構示意圖。【【具體實施方式】】—種可鋼化三銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片I的復合面上由內到外依次相鄰地復合有二十個膜層，其中第一膜層即最內層為SiNJl 21，第二膜層為T1Jl 22，第三膜層為ZnO層23，第四膜層為NiCr層24，第五膜層為Ag層25，第六層膜為NiCr層26，第七膜層為T1Jl 27，第八膜層為ZnO 2層28，第九膜層為NiCr層29，第十膜層為Ag層210，第^^一膜層為NiCr層211，第十二膜層為T1jl 212，第十三膜層為ZnO 2層213，第十四膜層為NiCr層214，第十五層為Ag層215，第十六層為NiCr層216，第十七層為T1jl 217，第十八層為ZnO層218，第十九層為SiNjl 219，第二十層即最外層為SiC層 220。所述最內層SiNJl 21，即氮化硅層；SiNx是一種非常堅硬的材料，利用SiNx作基膜，提高膜層的硬度，可防止納離子的注入破壞銀層，使整個膜層在高溫下耐熱性更好，機械性更好，具有可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性。SiNJl 21的厚度為15?25nm，優選20nm，nm是納米，Im = 109nm。第十九膜層SiNjl^ 219的厚度為20?35nm，優選 28nm。所述的第二層1102層22，即鈦的氧化物——二氧化鈦。采用高折射率η = 2.5的T12是為了提高玻璃的透光率，降低銀層的面電阻，減少銀的消耗，又可以減少LOW-E熱處理后產生光散射，而且玻璃呈中性顏色，1102膜表面非常光滑，因而改善了銀膜的導電率。所述第二膜層的T1Jl 22的厚度為20?35nm，優選28nm。第七層膜層T1jl 27的厚度為15?35nm，第十二膜層T1jl 212的厚度為15?30nm，第十七膜層T1 2層217的厚度為 25 ?35nm。所述第三層ZnO層23，即氧化鋅層，是減反射的金屬氧化物層，同時進一步提高膜層的可見光透過率和隔熱性。氧化鋅ZnO可用作介質層，降低玻璃的溫度是對銀層的損害，作為鍍膜玻璃介質層，不但保護了銀層，也提高了可見光通過的同時對紅外線有高的反射，以達到保溫及隔熱的效果。ZnO層具有增透作用。所述第三膜層的ZnO層23的厚度為5?15nm，第十八層ZnO層218的厚度為10?20nm。所述第四膜層NiCr層24，即鎳鉻金屬層，作為Ag層的保護層及平整層，提高耐氧化性能防止Ag層的氧化。所述第四膜層NiCr層24、第六膜層NiCr層26、第九膜層NiCr層29、第^^一膜層NiCr層211、第十四膜層NiCr層214、第十六層NiCr層216的厚度均為2?5nm。優選為3nm。所述第五層Ag層24，即金屬銀層，功能層，金屬本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種可鋼化三銀LOW?E玻璃，包括有玻璃基片(1)，在所述的玻璃基片(1)的復合面上由內到外依次相鄰地復合有二十個膜層，其特征在于：其中第一膜層即最內層為SiNx層(21)，第二膜層為TiO2層(22)，第三膜層為ZnO層(23)，第四膜層為NiCr層(24)，第五膜層為Ag層(25)，第六層膜為NiCr層(26)，第七膜層為TiO2層(27)，第八膜層為ZnO2層(28)，第九膜層為NiCr層(29)，第十膜層為Ag層(210)，第十一膜層為NiCr層(211)，第十二膜層為TiO2層(212)，第十三膜層為ZnO2層(213)，第十四膜層為NiCr層(214)，第十五層為Ag層(215)，第十六層為NiCr層(216)，第十七層為TiO2層(217)，第十八層為ZnO層(218)，第十九層為SiNx層(219)，第二十層即最外層為SiC層(220)。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：孫疊文，馬滿江，
申請(專利權)人：中山市格蘭特實業有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44