【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體的說(shuō)本技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件。
技術(shù)介紹
固態(tài)光源，例如發(fā)光二極管(LED)和激光二極管，比白熾燈或熒光燈等形式的照明具有顯著的優(yōu)勢(shì)。將紅色，綠色和藍(lán)色三種原色以合理陣列形式布置，可以調(diào)節(jié)作為白光或彩色光源。此時(shí)，固態(tài)光源是通常更有效，并比傳統(tǒng)的白熾燈或熒光燈產(chǎn)生更少的熱量。固態(tài)照明技術(shù)雖然在技術(shù)上具有一定的優(yōu)勢(shì)，但現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和器件用于固態(tài)照明費(fèi)用相對(duì)昂貴。傳統(tǒng)的固態(tài)光源是通過(guò)在諸如碳化硅或藍(lán)寶石之類的襯底上設(shè)置發(fā)光材料層來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)光。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)提供了一種新型的折射光源發(fā)光器件，通過(guò)器件表面的透鏡的設(shè)置，可以有效改善光線效果。一種折射光源發(fā)光器件，包括硅襯底具有一個(gè)上表面，上表面具有凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)置有半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層依次設(shè)置緩沖層反射層，摻雜的下化合物層，量子阱層，上化合物層，上電極設(shè)置在上化合物層上，下電極設(shè)置在下化合物層上，分別設(shè)置在槽體兩側(cè)，量子阱層下部設(shè)置的下化合物層和量子阱層上部設(shè)置的上化合物層是導(dǎo)電的，分別連接下上電極，整體作為發(fā)光層。凹槽內(nèi)發(fā)光層內(nèi)側(cè)設(shè)置有圓弧狀棱鏡體，將發(fā)光層所發(fā)出的光線整合，緩沖層包括高溫緩沖層和低溫緩沖層。緩沖層，反射層和量子阱層可使用原子層沉積來(lái)形成，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積。摻雜下化合物層和上化合物層可以通過(guò)沉積形成。發(fā)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種折射光源發(fā)光器件，包括硅襯底具有一個(gè)上表面，其特征在于，上表面具有凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)置有半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層依次設(shè)置緩沖層反射層，摻雜的下化合物層，量子阱層，上化合物層，上電極設(shè)置在上化合物層上，下電極設(shè)置在下化合物層上，分別設(shè)置在槽體兩側(cè)，量子阱層下部設(shè)置的下化合物層和量子阱層上部設(shè)置的上化合物層是導(dǎo)電的，分別連接下上電極，整體作為發(fā)光層，凹槽內(nèi)發(fā)光層內(nèi)側(cè)設(shè)置有圓弧狀棱鏡體。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種折射光源發(fā)光器件，包括硅襯底具有一個(gè)上表面，其特
征在于，上表面具有凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)置有半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層依次
設(shè)置緩沖層反射層，摻雜的下化合物層，量子阱層，上化合物層，
上電極設(shè)置在上化合物層上，下電極設(shè)置在下化合物層上，分別設(shè)
置在槽體兩側(cè)，量子阱層下部設(shè)置的下化合物層和量子阱層上部設(shè)
置的上化合物層是導(dǎo)電的，分別連接下上電極，整體作為...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：牛寶，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：河北易貝信息技術(shù)有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：河北;13
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