一種發(fā)光器件、顯示裝置及發(fā)光器件的制造方法制造方法及圖紙

一種發(fā)光器件、顯示裝置及發(fā)光器件的制造方法，發(fā)光器件，包括：第一透明電極、空穴阻擋層、介電層、垂直溝道層、電致發(fā)光層、第二透明電極，還包括：位于空穴阻擋層和介電層之間的量子點(diǎn)層；位于介電層和垂直溝道層之間的金屬反射電極。本發(fā)明專利技術(shù)實(shí)施例顯示器件顯示亮度均一，降低了背板功耗。

A light emitting device, a display device and a method of manufacturing a light emitting device

A light emitting device, display device and method of manufacturing the light emitting device, light emitting device, comprising: a first transparent electrode, a hole blocking layer, a dielectric layer, vertical channel layer, an electroluminescent layer, the second transparent electrode, including: located in the hole blocking layer and the dielectric layer quantum dot layer is located; the metal reflective electrode between the dielectric layer and the vertical channel layer. The embodiment of the embodiment of the invention has uniform display brightness and reduces the power consumption of the backboard.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種發(fā)光器件、顯示裝置及發(fā)光器件的制造方法
本文涉及但不限于顯示技術(shù)，尤指一種發(fā)光器件、顯示裝置及發(fā)光器件的制造方法。
技術(shù)介紹
目前，發(fā)出的全都是白色光的發(fā)光二極管(WhiteOLED)顯示器件可應(yīng)用于大尺寸電視機(jī)(TV)以及照明裝置，其中，OLED由紅色、綠色、藍(lán)色(RGB)三個(gè)發(fā)光單元的疊層結(jié)構(gòu)，經(jīng)傳統(tǒng)彩膜濾光后，由于OLED的驅(qū)動(dòng)TFT存在閾值電壓漂移大，造成顯示亮度不夠均一，所以需要薄膜晶體管(TFT)電路補(bǔ)償，增加了背板功耗。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
以下是對(duì)本文詳細(xì)描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權(quán)利要求的保護(hù)范圍。本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種發(fā)光器件、顯示裝置及發(fā)光器件的制造方法，能夠降低背板功耗。本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種發(fā)光器件，包括：第一透明電極、空穴阻擋層、介電層、垂直溝道層、電致發(fā)光層、第二透明電極，還包括：位于空穴阻擋層和介電層之間的量子點(diǎn)層；位于介電層和垂直溝道層之間的金屬反射電極。可選的，所述量子點(diǎn)層由以下部分或全部顏色的量子點(diǎn)組成：藍(lán)色、綠色、黃色、紅色、近紅外。可選的，所述金屬反射電極具有準(zhǔn)連續(xù)結(jié)構(gòu)或鏤空結(jié)構(gòu)。可選的，采用旋涂、印刷或轉(zhuǎn)印方式在所述空穴阻擋層上方形成所述量子點(diǎn)層。可選的，采用真空蒸鍍方式在所述介電層上方形成所述金屬反射電極。另一方面，本專利技術(shù)實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括：上述的發(fā)光器件。再一方面，本專利技術(shù)實(shí)施例還提供一種發(fā)光器件的制造方法，包括：在第一透明電極上形成空穴阻擋層，其特征在于，還包括：在空穴阻擋層形成量子點(diǎn)層；在量子點(diǎn)層上形成介電層；在介電層上形成金屬反射電極；在金屬反射電極上形成垂直溝道層；在垂直溝道層上形成電致發(fā)光層；在電致發(fā)光層形成第二透明電極。可選的，所述量子點(diǎn)層由以下部分或全部顏色的量子點(diǎn)組成：藍(lán)色、綠色、黃色、紅色、近紅外。可選的，所述金屬反射電極具有準(zhǔn)連續(xù)結(jié)構(gòu)或鏤空結(jié)構(gòu)。可選的，所述在空穴阻擋層形成量子點(diǎn)層包括：采用旋涂、印刷或轉(zhuǎn)印方式在所述空穴阻擋層上方形成所述量子點(diǎn)層。與相關(guān)技術(shù)相比，本申請(qǐng)技術(shù)方案包括：第一透明電極、空穴阻擋層、介電層、垂直溝道層、電致發(fā)光層、第二透明電極，還包括：位于空穴阻擋層和介電層之間的量子點(diǎn)層；位于介電層和垂直溝道層之間的金屬反射電極。本專利技術(shù)實(shí)施例顯示器件顯示亮度均一，降低了背板功耗。本專利技術(shù)的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本專利技術(shù)而了解。本專利技術(shù)的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。附圖說明附圖用來提供對(duì)本專利技術(shù)技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本申請(qǐng)的實(shí)施例一起用于解釋本專利技術(shù)的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對(duì)本專利技術(shù)技術(shù)方案的限制。圖1為本專利技術(shù)實(shí)施例發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)框圖；圖2為太陽光譜組成示意圖；圖3為本專利技術(shù)實(shí)施例發(fā)光器件的工作示意圖；圖4為本專利技術(shù)實(shí)施例發(fā)光器件的制造方法的流程圖。具體實(shí)施方式為使本專利技術(shù)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對(duì)本專利技術(shù)的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。圖1為本專利技術(shù)實(shí)施例發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)框圖，如圖1所示，包括：第一透明電極1、空穴阻擋層2、介電層4、垂直溝道層6、電致發(fā)光層7、第二透明電極8，本專利技術(shù)實(shí)施例發(fā)光器件還包括：位于空穴阻擋層2和介電層4之間的量子點(diǎn)層3；位于介電層4和垂直溝道層6之間的金屬反射電極5。其中，介電層4，具有超級(jí)電容功能；電致發(fā)光層7包括若干相關(guān)技術(shù)中具備的功能層。第一透明電極1可以是柵極(Gate)層；第二透明電極可以是漏極(Drain)層8；可選的，量子點(diǎn)層3由以下部分或全部顏色的量子點(diǎn)組成：藍(lán)色、綠色、黃色、紅色、近紅外。需要說明的是，量子點(diǎn)與太陽光譜相匹配，因此量子點(diǎn)層可以吸收到太陽光和/或環(huán)境背光。本專利技術(shù)實(shí)施例設(shè)置采用三種或三種以上顏色的量子點(diǎn)構(gòu)成量子點(diǎn)層。圖2為太陽光譜組成示意圖，如圖2所示，如果量子點(diǎn)層由藍(lán)色、綠色、黃色、紅色、近紅外等一種或多種量子點(diǎn)混合組成時(shí)，量子點(diǎn)與太陽光譜相匹配時(shí)，量子點(diǎn)層可以吸收到太陽光或環(huán)境背光。可選的，金屬反射電極5具有準(zhǔn)連續(xù)結(jié)構(gòu)或鏤空結(jié)構(gòu)。需要說明的是，準(zhǔn)連續(xù)結(jié)構(gòu)為相關(guān)技術(shù)中已有的定義，是指在納觀尺度下出現(xiàn)變形和斷裂的結(jié)構(gòu)，例如、在金屬反射電極的膜層上出現(xiàn)裂紋、孔洞等幾何圖形。可選的，采用旋涂、印刷或轉(zhuǎn)印方式在空穴阻擋層2上方形成量子點(diǎn)層3。可選的，采用真空蒸鍍方式在介電層4上方形成金屬反射電極5。圖3為本專利技術(shù)實(shí)施例發(fā)光器件的工作示意圖，如圖3所示，包括：量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn)吸收OLED發(fā)光，產(chǎn)生光生電荷分離，電子9回到Gate，空穴10在量子點(diǎn)層或介電層界面積累；在柵極1的場(chǎng)效應(yīng)管(VGS)電壓下，TFT中量子點(diǎn)層吸收光子，產(chǎn)生光生載流子，即電子9和空穴10。相應(yīng)的電子在介電層、金屬反射電極、垂直溝道層界面積累，即進(jìn)行電子增益，導(dǎo)致垂直溝道層能帶彎曲及變薄，電子9隧穿入垂直溝道層，經(jīng)收集存儲(chǔ)后注入到電致發(fā)光層(EML)。在漏極8的場(chǎng)效應(yīng)管(VDS)電壓下，第二透明電極(Drain)空穴注入到OLED發(fā)光層與電子復(fù)合發(fā)光，經(jīng)金屬反射電極向上發(fā)光用來顯示，本專利技術(shù)實(shí)施例發(fā)光器件包括：第一透明電極1、空穴阻擋層2、介電層4、垂直溝道層6、電致發(fā)光層7、第二透明電極8，還包括：位于空穴阻擋層2和介電層4之間的量子點(diǎn)層3；位于介電層4和垂直溝道層6之間的金屬反射電極5。本專利技術(shù)實(shí)施例通過量子點(diǎn)吸收光子后，產(chǎn)生光生載流，即電子9和空穴10。相應(yīng)的電子9在介電層、金屬反射電極、垂直溝道層界面積累，電子增益，因此，在低的柵極1的場(chǎng)效應(yīng)管(VGS)電壓下，電子隧穿注入到電致發(fā)光器件發(fā)光顯示，降低了背板功耗；同時(shí)，垂直溝道層可采用印刷或真空蒸鍍或原子層沉積工藝制備，使得薄膜厚度即為溝道長(zhǎng)度可控制為納米(nm)量級(jí)，降低溝道長(zhǎng)度可以有效增加輸出電流，因此，在低的漏極8的場(chǎng)效應(yīng)管(VDS)電壓需下輸出高電流，即獲得高亮度，同時(shí)垂直溝道層薄膜均一性好，閾值電壓穩(wěn)定性好，顯示器件的發(fā)光亮度均一，降低了背板功耗。本專利技術(shù)實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括：顯示裝置發(fā)光器件，發(fā)光器件包括：第一透明電極1、空穴阻擋層2、介電層4、垂直溝道層6、電致發(fā)光層7、第二透明電極8，本專利技術(shù)實(shí)施例發(fā)光器件還包括：位于空穴阻擋層2和介電層4之間的量子點(diǎn)層3；位于介電層4和垂直溝道層6之間的金屬反射電極5。其中，介電層4，具有超級(jí)電容功能；電致發(fā)光層7包括若干相關(guān)技術(shù)中具備的功能層。第一透明電極1可以是柵極(Gate)層；第二透明電極可以是漏極(Drain)層8；可選的，量子點(diǎn)層3由以下部分或全部顏色的量子點(diǎn)組成：藍(lán)色、綠色、黃色、紅色、近紅外。需要說明的是，量子點(diǎn)與太陽光譜相匹配，因此量子點(diǎn)層可以吸收到太陽光和/或環(huán)境背光。本專利技術(shù)實(shí)施例設(shè)置采用三種或三種以上顏色的量子點(diǎn)構(gòu)成量子點(diǎn)層。可選的，金屬反射電極5具有準(zhǔn)連續(xù)結(jié)構(gòu)或鏤空結(jié)構(gòu)。可選的，采用旋涂、印刷或轉(zhuǎn)印方式在空穴阻擋層2上方形成量子點(diǎn)層3。可選的，采用真空蒸鍍方式在介本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種發(fā)光器件，包括：第一透明電極、空穴阻擋層、介電層、垂直溝道層、電致發(fā)光層、第二透明電極，其特征在于，還包括：位于空穴阻擋層和介電層之間的量子點(diǎn)層；位于介電層和垂直溝道層之間的金屬反射電極。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光器件，包括：第一透明電極、空穴阻擋層、介電層、垂直溝道層、電致發(fā)光層、第二透明電極，其特征在于，還包括：位于空穴阻擋層和介電層之間的量子點(diǎn)層；位于介電層和垂直溝道層之間的金屬反射電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)層由以下部分或全部顏色的量子點(diǎn)組成：藍(lán)色、綠色、黃色、紅色、近紅外。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬反射電極具有準(zhǔn)連續(xù)結(jié)構(gòu)或鏤空結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其特征在于，采用旋涂、印刷或轉(zhuǎn)印方式在所述空穴阻擋層上方形成所述量子點(diǎn)層。5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其特征在于，采用真空蒸鍍方式在所述介電層上方形成所述金屬反射電極。6.一種顯示裝置，其特征在于...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：徐威，梁蓬霞，張笑，谷新，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：北京,11