一種提高BiTeSe基N型半導體熱電材料性能的方法技術

本發明專利技術公開了一種提高BiTeSe基N型半導體熱電材料性能的方法，其特征在于，將Bi，Te，Se顆粒按一定化學計量比配制母合金，并向所述母合金中加入0.3wt％KI，混合均勻,然后在950～1050℃下熔煉摻雜的母合金，隨后澆鑄到模具中冷卻凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型半導體塊體熱電材料。本發明專利技術首次將液液結構轉變這個物理現象引入到熱電材料制備領域，通過控制母系合金的熔體狀態，直接操縱凝固組織，并結合KI摻雜，優化了BiTeSe基熱電材料的性能。與現有方法相比，本發明專利技術在大幅度提升熱電優值的基礎上，具有清潔無污染，無需特種設備，操作簡單，周期短，成本低等優點，特別適合于商業化大規模生產和應用。

【技術實現步驟摘要】
201610070418

【技術保護點】
一種提高BiTeSe基N型半導體熱電材料性能的方法，其特征在于，將Bi,Te,Se顆粒按一定化學計量比配制母合金，并向所述母合金中加入0.3wt％KI,混合均勻，然后在950～1050℃下熔煉摻雜的母合金，隨后澆鑄到模具中冷卻凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型半導體熱電材料。

【技術特征摘要】
1.一種提高BiTeSe基N型半導體熱電材料性能的方法，其特征在于，將Bi,Te,Se顆
粒按一定化學計量比配制母合金，并向所述母合金中加入0.3wt％KI,混合均勻，然后在950～
1050℃下熔煉摻雜的母合金，隨后澆鑄到模具中冷卻凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型
半導體熱電材料。
2.如權利要求1所述的一種提高BiTeSe基N型半導體熱電材料性能的方法，其特征
在于，所述摻雜的母合金熔煉時，先將其加熱到650℃，使覆蓋劑融化，隨后升溫到700～
800℃，保溫1-2h，再升溫到950℃～1050℃，保溫0.5-1h實現溫度誘導液液結構轉變，隨
后降溫到650℃保溫30min后，澆鑄到模具中冷卻凝固，即得到高性能的BiTeS...

【專利技術屬性】
技術研發人員：祖方遒，朱彬，吳展，張文進，王小宇，余愿，
申請(專利權)人：合肥工業大學，
類型：發明
國別省市：安徽;34