【技術實現步驟摘要】
201510959663
【技術保護點】
一種制造高效率多晶電池的工藝，依次包括硅片表面制絨、擴散、刻蝕、氮化硅薄膜沉積、印刷燒結步驟，其特征在于：在所述的硅片表面制絨步驟與擴散步驟之間增加反應離子刻蝕制絨步驟，在所述的刻蝕步驟和氮化硅薄膜沉積步驟之間增加鍍Al2O3膜步驟，在所述的硅片背面沉積Al2O3膜；在所述的氮化硅薄膜沉積步驟和所述的印刷燒結步驟之間增加激光開槽步驟，在所述的Al2O3膜上激光開槽。
【技術特征摘要】
1.一種制造高效率多晶電池的工藝，依次包括硅片表面制絨、擴散、刻蝕、氮化硅薄膜沉積、印刷燒結步驟，其特征在于：在所述的硅片表面制絨步驟與擴散步驟之間增加反應離子刻蝕制絨步驟，在所述的刻蝕步驟和氮化硅薄膜沉積步驟之間增加鍍Al2O3膜步驟，在所述的硅片背面沉積Al2O3膜；在所述的氮化硅薄膜沉積步驟和所述的印刷燒結步驟之間增加激光開槽步驟，在所述的Al2O3膜上激光開槽。
2.根據權利要求1所述的制造高效率多晶電池的工藝，其特征在于：所述的反應離子刻蝕制絨步驟為：使用O2、SF6反應離子或Cl2、SF6反應離子或SF6、Cl2和O2反應離子，對所述的硅片表面進行轟擊刻蝕。
3.根據權利要求2所述的制造高效率多晶電池的工藝，其特征在于：所述的反應離子刻蝕制絨步驟為：使用O2、SF6反應離子，對所述的硅片表面進行轟擊刻蝕。
4.根據權利要求1所述的制造高效率多晶電池的工藝，其特征在于：所述的鍍Al2O3膜步驟為：通過單原子層沉積...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李奎，朱生賓，李陶，謝偉，崔廷，蔣明強，王凌祥，
申請(專利權)人：合肥晶澳太陽能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：安徽;34
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。